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CY14E256LA
AC开关特性
参数
柏
ALT
参数
参数
25纳秒
描述
民
–
25
–
–
3
3
–
0
–
0
–
25
20
20
10
0
20
0
0
–
3
最大
25
–
25
12
–
–
10
–
10
–
25
–
–
–
–
–
–
–
–
10
–
民
–
45
–
–
3
3
–
0
–
0
–
45
30
30
15
0
30
0
0
–
3
45纳秒
最大
45
–
45
20
–
–
15
–
15
–
45
–
–
–
–
–
–
–
–
15
–
单位
SRAM读周期
t
ACE
t
RC[11]
t
AA[12]
t
美国能源部
t
OHA[12]
t
LZCE [13 ， 14 ]
t
HZCE [13 ， 14 ]
t
LZOE [13 ， 14 ]
t
HZOE [13 ， 14 ]
t
PU[13]
t
PD[13]
t
WC
t
PWE
t
SCE
t
SD
t
HD
t
AW
t
SA
t
HA
t
HZWE [13 ， 14，15]
t
LZWE [13 ， 14 ]
t
ACS
t
RC
t
AA
t
OE
t
OH
t
LZ
t
HZ
t
OLZ
t
OHZ
t
PA
t
PS
t
WC
t
WP
t
CW
t
DW
t
DH
t
AW
t
AS
t
WR
t
WZ
t
OW
芯片使能存取时间
读周期时间
地址访问时间
输出使能到数据有效
地址变更后的输出保持
芯片使能到输出有效
芯片禁用到输出无效
输出使能输出活跃
输出禁止到输出无效
芯片使能为功耗工作
芯片禁用到备用电源
写周期时间
把脉冲宽度
芯片使能写操作的结束
数据建立到写结束
写入结束后数据保持
地址设置为写操作结束
地址设置到开始写
写入结束后地址保持
写使能到输出禁止
输出写入结束后主动
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
SRAM写周期
开关波形
控制地址：图4. SRAM读周期＃ 1
[11, 12, 16]
t
RC
地址
地址有效
t
AA
数据输出
以前的数据有效
t
OHA
输出数据有效
笔记
11.我们必须为高电平期间SRAM读周期。
12.设备不断选择CE和OE低。
13.这些参数由设计保证，未经测试。
14.测量± 200 mV的自稳态输出电压。
15.如果WE为低时， CE变低时，输出保持在高阻抗状态。
16. HSB必须在读取和写入周期保持高电平。
文件编号： 001-54952修订版* F
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