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CY14C512Q
CY14B512Q
CY14E512Q
SPI工作特点
上电
电时被定义为条件时，电源是
接通和V
CC
穿越vswitch的电压。在这段时间内，所述
CS必须被允许跟随在V
CC
电压。因此， CS
必须连接到V
CC
通过合适的上拉电阻。如
内置的安全功能， CS是两个边缘敏感和水平
敏感的。上电后，该设备没有被选中，直到下落
边缘上检测到的CS 。这确保了CS必须一直
高，才去低开始第一次手术。
如先前所述，的nvSRAM执行上电RECALL
上电后，因此操作时，所有的内存访问都
对于T残疾人
FA
上电后持续时间。在HSB引脚可
探测后，加电检查的nvSRAM的Ready / Busy状态
了。
的状态寄存器中的WPEN ， BP1和BP0位
非易失位并保持不变，从以前的
存储操作。
选择并发出指令给存储器之前，有效的
稳定的V
CC
电压必须施加。这个电压必须
保持有效，直到该指令传输的结束。
掉电
在掉电（V连续衰减
CC
） ，当V
CC
从下降
的正常工作电压和低于V
开关
门槛
电压时，器件停止响应发送给它的任何指令。
如果一个写周期正在进行中的最后一个数据位D0已
当电源出现故障收到，允许吨
延迟
时间为
完成写入。在此之后，所有的内存访问被禁止
并且执行条件自动存储操作（自动存储是
如果没有写操作发生自上次RECALL不执行
周期） 。此功能可以防止意外写入的nvSRAM从
在断电情况发生。
但是，要完全避免意外写操作的可能性
在掉电模式下，确保了装置的选择取消，并
在待机功率模式，并且在CS如下所施加的电压
在V
CC
.
上电复位
上电复位（ POR ）电路，可防止
意外写入。在上电时，该设备不响应
任何指令，直到V
CC
达到POR阈值电压
(V
开关
） 。 V后
CC
转型的POR阈值时，装置
在内部复位，并执行上电调用操作。
在上电期间调用所有设备的访问被禁止。该
器件在上电复位后的状态如下：
■
■
■
■
有源电源和备用电源模式
当CS为低时，该装置被选中，在活跃
功率模式。该器件消耗我
CC
当前，作为在指定
第21页上的直流电气特性。
当CS为高电平时，
取消选择器件，器件进入待机功耗
吨后模式
SB
时间如果存储或调用的周期是不
进展情况。如果一条STORE / RECALL周期正在进行中，该装置
在存储或调用后进入待机功耗模式
周期结束。在待机功率模式下，电流
通过该装置抽降至我
SB
.
取消选择（上电后，一个下降沿，需要对CS
之前的任何指令启动） 。
备用电源模式
不能在保持状态
状态寄存器的状态：
写使能（ WEN ）位复位为“0” 。
WPEN ， BP1 ， BP0不变，从以前的商店
操作。
文件编号： 001-65267修订版* B
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