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CY14C512Q
CY14B512Q
CY14E512Q
首先执行先前的非易失性数据，接着是
非易失性元素的节目。经过STORE周期
开始，读/写CY14X512Q被禁止，直到循环
完成。
该HSB信号或状态的RDY位寄存器可
由系统监控，如果检测到商店或软件
RECALL周期正在进行中。的nvSRAM的繁忙状态
通过HSB表示被拉低或RDY位被设置为“1” 。
为了避免不必要的非易失性存储，自动存储和
五金店操作被忽略，除非至少有一个
自从最近商店的写操作已经发生或
RECALL周期。然而，启动软件商店周期
的写操作是否已完成而不管
的地方。
软件商店运营
软件商店使得用户能够触发STORE操作
通过一个特殊的SPI指令。启动STORE操作
由不论执行STORE指令是否写
自从上次的NV操作已完成。
商店周期需要吨
商店
的时间来完成，在此期间所有
内存存取的nvSRAM被禁止。的RDY位
状态寄存器或HSB引脚可被查询，找到
该NVSRAM的就绪或忙状态。之后的T
商店
周期
完成时， SRAM被用于读取和写入再次激活
操作。
五金店和HSB引脚操作
HSB的销在CY14X512Q3A用于控制和
确认存储操作。如果没有存储或调用是
进度，该引脚可用于请求五金店
周期。当HSB引脚被有条件地驱动为低电平，的nvSRAM
发起吨后STORE操作
延迟
持续时间。商店
周期开始仅当自已经执行一个写入到SRAM
最后存储或调用周期。读取和写入的
记忆被抑制在t
商店
持续时间或者只要HSB销
为LOW 。在HSB引脚还充当开漏驱动器（内部
100 k弱上拉电阻），其内部驱动为低电平
表明处于忙碌状态时， STORE （任何启动
装置）正在进行中。
记
每一个硬件和软件商店运营HSB后
被驱动为高电平的时间很短（叔
HHHD
）与标准输出高
目前，然后保持高由内部100 k拉
电阻器。
记
对于成功的最后一个数据字节商店，五金店
应开始的至少一个时钟周期之后的最后一个数据位
D0被接收。
经STORE操作完成时，存储器的nvSRAM
访问被禁止在t
LZHSB
HSB引脚时间后返回高电平。
在HSB引脚必须悬空，如果不使用。
记
CY14X512Q1A / CY14X512Q2A不具有HSB引脚。 RDY
的SPI状态寄存器的位可以被探测，以确定
的nvSRAM的就绪或忙状态。
自动存储操作
该自动存储操作的nvSRAM的独特功能，
自动存储在SRAM中的数据QuantumTrap细胞
在断电期间。这家店是利用外部的
电容（V
帽
） ，使设备安全地存储
在非易失性存储器中的数据时的功率下降。
在正常操作期间，该器件消耗的电流从V
CC
to
充电连接至V的电容器
帽
引脚。当
电压在V
CC
引脚低于V
开关
在掉电模式下，
该设备禁止所有内存存取的nvSRAM和
自动执行使用条件STORE操作
从V充电
帽
电容。所述自动存储操作不
如果开始没有写周期已经从去年RECALL执行。
记
如果电容器没有连接到V
帽
针，自动存储必备
通过发出自动存储禁用指令被禁用
（自动存储
禁用15页（ ASDISB ）指令） 。
If
自动存储而不在V的电容器使
帽
引脚上，
设备尝试没有足够电量的自动存储操作
完成存储。存储在数据这将损坏
的nvSRAM ，状态寄存器，以及序列号，它会
解锁SNL位。要恢复正常的功能，在WRSR
指令必须发出更新的非易失性位BP0 ，
BP1和WPEN状态寄存器。
科幻gure 3
示出了存储电容器的正确连接
(V
帽
）的自动存储操作。请参阅
直流电气
第21页上的特点
对于V的大小
帽
.
记
CY14X512Q1A不支持自动存储操作。您
必须使用SPI进行软件商店运营
STORE指令，以确保数据的安全。
图3.自动存储模式
V
CC
RECALL操作
召回的操作将存储在非易失性数据
QuantumTrap元件到SRAM中。召回可能
有两种方式启动：硬件的调用，上电启动
和软件RECALL ，由SPI RECALL指令启动。
在内部，召回是一个两步的过程。首先， SRAM数据
被清除。接着，非易失性信息被传输至电
SRAM单元。所有的内存访问被禁止，同时召回
周期正在进行中。此次召回的操作不会改变
在非易失性元件的数据。
0.1 uF的
10千欧
V
CC
CS
V
帽
V
帽
V
SS
文件编号： 001-65267修订版* B
第33 5
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