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CY14C512Q
CY14B512Q
CY14E512Q
因此， WREN指令之前，需要一个新的使用
写指令发送。
图10. WREN指令
CS
0
SCK
SI
SO
0
0
0
0
0
1
1
0
1
2
3
4
5
6
7
表5块写保护位
水平
0
1 (1/4)
2 (1/2)
3 （全）
状态寄存器
位
BP1
0
0
1
1
BP0
0
1
0
1
无
0xC000-0xFFFF
0x8000-0xFFFF
0x0000-0xFFFF
数组地址保护
高阻
硬件写保护（ WP ）
写保护引脚（ WP ）用于提供硬件写
保护。 WP引脚使所有正常的读写操作
当保持高电平。当WP引脚被拉低，并WPEN
位是'1' ，所有的写操作状态寄存器被禁止。
硬件写保护功能被阻断时的
WPEN位为“0” 。这使您可以安装该设备在一个系统中
与WP管脚连接至地，并且仍然写入状态
注册。
WP引脚可与WPEN和块保护位可以一起使用
（ BP1和BP0 ）状态寄存器的抑制写入内存。
当WP引脚为低电平且WPEN被设置为' 1'时，任何修改
状态寄存器被禁用。因此，该存储器是
通过设置BP0和BP1位和WP引脚抑制保护
状态的任何修改寄存器位，提供硬件
写保护。
记
WP变低时， CS仍然偏低，对任何没有影响
正在进行的写操作状态寄存器。
记
CY14X512Q2A没有WP引脚，因此不
不提供硬件写保护。
表6
总结了该设备的所有保护功能
表6.写保护操作
WPEN
X
0
1
1
WP
X
X
低
高
温保护不受保护
块
块
0
1
1
1
保护
保护
保护
保护
保护
可写
可写
可写
状态
注册
保护
可写
保护
可写
写禁止（ WRDI ）指令
写禁止指令通过清除WEN禁用写
位为“0” ，以保护设备不受意外写入。
该指令是继CS ，随后下降沿发出
由操作码WRDI指令。 WEN位被清除的
CS的跟随WRDI指令上升沿。
图11. WRDI指令
CS
0
SCK
SI
SO
0
0
0
0
0
1
0
0
1
2
3
4
5
6
7
高阻
块保护
使用的的BP0和BP1引脚提供块保护
状态寄存器。这些位可以使用WRSR指令设置
并探讨使用RDSR指令。该NVSRAM分
分为四个数组段。四分之一，二分之一，或全部的
存储器段可以被保护。内的任何数据
保护段是只读的。
表5
示出的功能
块保护位。
文件编号： 001-65267修订版* B
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