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CY14B101LA
CY14B101NA
数据保留和耐力
在该
工作范围
参数
数据
R
NV
C
数据保留
非易失性存储操作
描述
民
20
1,000
单位
岁月
K
电容
参数
[22]
C
IN
C
OUT
描述
输入电容（除BHE ， BLE和HSB ）
输入电容（用于BHE ， BLE和HSB ）
输出电容（除HSB ）
输出电容（用于HSB ）
测试条件
T
A
= 25
C,
F = 1MHz时， V
CC
= V
CC （典型值）
最大
7
8
7
8
单位
pF
pF
pF
pF
热阻
参数
[22]
描述
热阻
（结到环境）
热阻
（结点到外壳）
测试条件
测试条件遵循
标准测试方法和
测量程序
热阻抗，在
按照
EIA/JESD51.
54-pin
TSOP II
36.4
10.13
48-pin
SSOP
37.47
24.71
48-ball
FBGA
48.19
6.5
44-pin
TSOP II
41.74
11.90
32-pin
SOIC
41.55
24.43
单位
° C / W
° C / W
JA
JC
AC测试负载
图5. AC测试负载
3.0 V
产量
30 pF的
577
R1
R2
789
3.0 V
产量
5 pF的
577
R1
对于三态规格
R2
789
AC测试条件
输入脉冲电平............................................... .... 0 V至3 V
输入上升和下降时间（ 10 ％ -90 ％） ........................... < 3纳秒
输入和输出时序参考水平....................... 1.5 V
记
22.这些参数由设计保证，未经测试。
文件编号： 001-42879修订版* L
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