CY14B101LA
CY14B101NA
表1.模式选择
（续）
CE
L
WE
H
OE
L
BHE ， BLE
[15]
X
A
15
–A
0
[16]
0x4E38
0xB1C7
0x83E0
0x7C1F
0x703F
0x4B46
0x4E38
0xB1C7
0x83E0
0x7C1F
0x703F
0x8FC0
0x4E38
0xB1C7
0x83E0
0x7C1F
0x703F
0x4C63
模式
读SRAM
读SRAM
读SRAM
读SRAM
读SRAM
自动存储
启用
读SRAM
读SRAM
读SRAM
读SRAM
读SRAM
非易失性
商店
读SRAM
读SRAM
读SRAM
读SRAM
读SRAM
非易失性
召回
I / O
输出数据
输出数据
输出数据
输出数据
输出数据
输出数据
输出数据
输出数据
输出数据
输出数据
输出数据
输出高Z
输出数据
输出数据
输出数据
输出数据
输出数据
输出高Z
动力
活跃
[18]
L
H
L
X
我主动
CC2[18]
L
H
L
X
活跃
[18]
防止自动存储
所述自动存储功能是通过启动一个自动存储禁用
禁用序列。执行读操作的序列
以类似于软件商店发起相关的方式。要启动
在自动存储禁用序列，行政长官按以下顺序
或OE控制的读操作必须被执行：
1.阅读地址0x4E38有效的读
2.读地址0xB1C7有效的读
3.阅读地址0x83E0有效的读
4.阅读地址0x7C1F有效的读
5.读地址0x703F有效的读
6.读地址0x8B45自动存储禁用
该自动存储是通过启动一个自动存储允许重新启用
序列。在执行读操作的序列
方式类似软件RECALL启动。要启动
自动存储使能序列， CE或OE下列顺序
控制读操作必须执行：
1.阅读地址0x4E38有效的读
2.读地址0xB1C7有效的读
3.阅读地址0x83E0有效的读
4.阅读地址0x7C1F有效的读
5.读地址0x703F有效的读
6.读地址0x4B46自动存储启用
如果自动存储功能被禁用或重新启用，手动
STORE操作（硬件或软件）必须发出
通过以后的掉电保存自动存储状态
周期。部分来自于工厂自动存储功能。
数据保护
该CY14B101LA / CY14B101NA可防止数据损坏
在低电压条件下抑制所有外部发起
STORE和写入操作。在低电压的条件是
当检测到V
CC
小于V
开关
。如果
CY14B101LA / CY14B101NA处于写模式（包括CE和WE
是LOW）上电时，召回或存储后，写操作
抑制直至SRAM为T启用后，
LZHSB
（ HSB输出
活性） 。这可以防止意外的电期间写
或欠压条件。
噪声考虑
请参阅CY应用笔记
AN1064.
记
18. 6个连续地址单元必须按列出的顺序。我们必须为高电平期间所有六个周期，使非易失性周期。
文件编号： 001-42879修订版* L
第8页28
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