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CY14B101LA
CY14B101NA
自动存储/电RECALL
在该
工作范围
参数
t
HRECALL[39]
t
店[ 40 ]
t
DELAY [ 41 ]
V
开关
t
VCCRISE[42]
V
HDIS[42]
t
LZHSB[42]
t
HHHD[42]
描述
上电召回时间
STORE周期的持续时间
时间可以完成SRAM
写周期
低电压触发电平
V
CC
上升时间
HSB禁止输出电压
HSB输出活动时间
HSB高活性的时间
20纳秒
民
–
–
–
–
150
–
–
–
最大
20
8
20
2.65
–
1.9
5
500
民
–
–
–
–
150
–
–
–
25纳秒
最大
20
8
25
2.65
–
1.9
5
500
民
–
–
–
–
150
–
–
–
45纳秒
最大
20
8
25
2.65
–
1.9
5
500
单位
ms
ms
ns
V
s
V
s
ns
开关波形
图11.自动存储或电设置
[43]
V
CC
V
开关
V
HDIS
t
VCCRISE
44
t
HHHD
记
40
t
商店
t
HHHD
记
40
t
商店
44
记
HSB OUT
记
t
延迟
自动存储
t
LZHSB
t
延迟
t
LZHSB
电源 -
UP
召回
阅读&写
抑制
（RWI ）
上电
召回
t
HRECALL
t
HRECALL
阅读&写
棕色
OUT
自动存储
上电
召回
阅读&写
动力
下
自动存储
笔记
39. t
HRECALL
开始从时间V
CC
上升超过V高
开关
.
40.如果一个SRAM写入并没有从上次的非易失性周期发生，没有自动存储或五金店发生。
41.在一个五金店，并自动存储开始，SRAM写操作继续启用时间t
延迟
.
42.这些参数由设计保证，未经测试。
存储，调用时43读取和写入周期被忽略，而V
CC
是比V低
开关
.
44.在上电和断电， HSB毛刺时HSB引脚被上拉至一个外部电阻器。
文件编号： 001-42879修订版* L
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