Si5513CDC
Vishay Siliconix公司
N沟道典型特征
25 ℃，除非另有说明
1
归
有效的瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
注意事项：
P
DM
t
1
t
2
1.占空比D =
t
1
t
2
0.02
单脉冲
0.01
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
1
方
WAVE
脉冲持续时间（ S）
10
2.每单位基础= R
thJA
= 95 ° C / W
3. T
JM
- T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
100
1000
归瞬态热阻抗，结到环境
1
占空比= 0.5
归
有效的瞬态
热阻抗
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
-4
10
-3
10
-2
方
WAVE
脉冲持续时间（ S）
10
-1
1
归瞬态热阻抗，结到脚
文档编号： 68806
S10-0547 -REV 。 C， 08 -MAR- 10
www.vishay.com
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