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Si5513CDC
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
T
J
= 25 ℃，除非另有说明
参数
STATIC
漏源击穿电压
V
DS
温度COEF网络cient
V
GS （ TH）
温度COEF网络cient
栅极阈值电压
门体漏
V
DS
ΔV
DS
/T
J
ΔV
GS （ TH）
/T
J
V
GS （ TH）
I
GSS
V
GS
= 0 V，I
D
= 250 A
V
GS
= 0 V，I
D
= - 250 A
I
D
= 250 A
I
D
= - 250 A
I
D
= 250 A
I
D
= - 250 A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
V
DS
= V
GS
, I
D
= - 250 A
V
DS
= 0 V, V
GS
= ± 12 V
V
DS
= 20 V, V
GS
= 0 V
零栅极电压漏极电流
I
DSS
V
DS
= - 20 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 20 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 55 °C
V
DS
= - 20 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 55 °C
通态漏电流
b
I
D（上）
V
DS
≥
5 V, V
GS
= 4.5 V
V
DS
≤
- 5 V, V
GS
= - 4.5 V
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 4.4 A
漏源导通电阻
b
R
DS （ ON）
V
GS
= - 4.5 V，I
D
= - 2.4 A
V
GS
= 2.5 V，I
D
= 3.6 A
V
GS
= - 2.5 V，I
D
= - 1.9 A
正向跨导
b
动态
a
输入电容
输出电容
反向传输电容
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
P沟道
V
DS
= - 10 V, V
GS
= 0 V ， F = 1兆赫
V
DS
= 10 V, V
GS
= 5 V，I
D
= 4.4 A
总栅极电荷
Q
g
V
DS
= - 10 V, V
GS
= - 5 V，I
D
= - 2.4 A
N沟道
V
DS
= 10 V, V
GS
= 4.5 V，I
D
= 4.4 A
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
栅极电阻
Q
gs
Q
gd
R
g
P沟道
V
DS
= - 10 V, V
GS
= - 4.5 V，I
D
= - 2.4 A
F = 1 MHz的
N沟道
N沟道
V
DS
= 10 V, V
GS
= 0 V ， F = 1兆赫
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
0.6
1.3
285
252
65
62
30
45
2.8
3.9
2.6
3.6
0.7
0.6
0.5
1.2
3
6.5
6
13
Ω
4.2
5.6
3.9
5.4
nC
pF
g
fs
V
DS
= 10 V，I
D
= 4.4 A
V
DS
= - 10 V，I
D
= - 2.4 A
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
10
-8
0.045
0.120
0.065
0.204
12
5
0.055
0.150
0.085
0.255
S
Ω
0.6
- 0.6
20
- 20
23.7
- 19.5
- 3.5
2.8
1.5
- 1.5
100
- 100
1
-1
10
- 10
A
A
V
nA
毫伏/°C的
V
符号
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
www.vishay.com
2
文档编号： 68806
S10-0547 -REV 。 C， 08 -MAR- 10
