Si5513CDC
Vishay Siliconix公司
N和P通道20 - V（D -S）的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
N沟道
20
R
DS （ ON）
(Ω)
0.055在V
GS
= 4.5 V
0.085在V
GS
= 2.5 V
0.150在V
GS
= - 4.5 V
0.255在V
GS
= - 2.5 V
I
D
(A)
4
g
4
g
a
特点
Q
g
（典型值）。
2.6 NC
TrenchFET
功率MOSFET
100 % R
g
经过测试
RoHS指令
应用
柔顺
P沟道
- 20
- 3.7
- 2.9
3.6 NC
负载开关，用于便携式设备
1206-8芯片FET
1
S
1
D
1
D
1
D
2
D
2
G
1
S
2
G
2
D
1
S
2
标识代码
EG
XXX
G
1
很多可追溯性
和日期代码
G
2
零件编号代码
底部
意见
订货信息：
Si5513CDC -T1 -E3 （铅（Pb ） - 免费）
S
1
N沟道
MOSFET
D
2
P沟道MOSFET
绝对最大额定值
T
A
= 25 ℃，除非另有说明
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150 °C)
T
C
= 25 °C
T
C
= 70 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
T
C
= 25 °C
T
A
= 25 °C
T
C
= 25 °C
T
C
= 70 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
N沟道
20
± 12
4
g
4
g
4
B，C ，G
3.5
B，C
10
2.6
1.4
B，C
3.1
2.0
1.7
B，C
1.1
B，C
- 55 150
260
- 3.7
- 3.0
- 2.4
B，C
- 1.9
B，C
-8
- 2.6
- 1.7
B，C
3.1
2.0
1.3
B，C
0.8
B，C
A
P沟道
- 20
单位
V
漏电流脉冲
源漏电流二极管电流
最大功率耗散
P
D
T
J
, T
英镑
W
工作结存储温度范围
焊接建议（峰值温度）
D，E
°C
热电阻额定值
N沟道
参数
最大
最大结到脚（漏极）
结到环境
B，F
t
≤
5s
稳定状态
符号
R
thJA
R
thJF
典型值。
62
32
马克斯。
74
40
P沟道
典型值。
77
33
马克斯。
95
40
单位
° C / W
注意事项：
一。基于T
C
= 25 °C.
B 。表面安装1" X 1" FR4板。
。 T = 5秒。
。见可靠性手册资料。该ChipFET是无铅封装。引线端子的端部露出的铜（未镀） ，结果
在制造单片化过程。的焊料圆角在暴露的铜尖不能得到保证，并且不要求保证
adequade底部焊接互连。
。返工条件：手工焊接用烙铁不推荐用于无铅元件。
F。在稳态条件下最大为115 ° C / N沟道和W为P沟道130 ° C / W 。
克。包装有限。
文档编号： 68806
S- 82490 -REV 。 B， 13 - OCT- 08
www.vishay.com
1
Si5513CDC
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
T
J
= 25 ℃，除非另有说明
参数
STATIC
漏源击穿电压
V
DS
温度COEF网络cient
V
GS （ TH）
温度COEF网络cient
栅极阈值电压
门体漏
V
DS
ΔV
DS
/T
J
ΔV
GS （ TH）
/T
J
V
GS （ TH）
I
GSS
V
GS
= 0 V，I
D
= 250 A
V
GS
= 0 V，I
D
= - 250 A
I
D
= 250 A
I
D
= - 250 A
I
D
= 250 A
I
D
= - 250 A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
V
DS
= V
GS
, I
D
= - 250 A
V
DS
= 0 V, V
GS
= ± 12 V
V
DS
= 20 V, V
GS
= 0 V
零栅极电压漏极电流
I
DSS
V
DS
= - 20 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 20 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 55 °C
V
DS
= - 20 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 55 °C
通态漏电流
b
I
D（上）
V
DS
≥
5 V, V
GS
= 4.5 V
V
DS
≤
- 5 V, V
GS
= - 4.5 V
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 4.4 A
漏源导通电阻
b
R
DS （ ON）
V
GS
= - 4.5 V，I
D
= - 2.4 A
V
GS
= 2.5 V，I
D
= 3.6 A
V
GS
= - 2.5 V，I
D
= - 1.9 A
正向跨导
b
动态
a
输入电容
输出电容
反向传输电容
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
P沟道
V
DS
= - 10 V, V
GS
= 0 V ， F = 1兆赫
V
DS
= 10 V, V
GS
= 5 V，I
D
= 4.4 A
总栅极电荷
Q
g
V
DS
= - 10 V, V
GS
= - 5 V，I
D
= - 2.4 A
N沟道
V
DS
= 10 V, V
GS
= 4.5 V，I
D
= 4.4 A
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
栅极电阻
Q
gs
Q
gd
R
g
P沟道
V
DS
= - 10 V, V
GS
= - 4.5 V，I
D
= - 2.4 A
F = 1 MHz的
N沟道
N沟道
V
DS
= 10 V, V
GS
= 0 V ， F = 1兆赫
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
0.6
1.3
285
252
65
62
30
45
2.8
3.9
2.6
3.6
0.7
0.6
0.5
1.2
3
6.5
6
13
Ω
4.2
5.6
3.9
5.4
nC
pF
g
fs
V
DS
= 10 V，I
D
= 4.4 A
V
DS
= - 10 V，I
D
= - 2.4 A
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
10
-8
0.045
0.120
0.065
0.204
12
5
0.055
0.150
0.085
0.255
S
Ω
0.6
- 0.6
20
- 20
23.7
- 19.5
- 3.5
2.8
1.5
- 1.5
100
- 100
1
-1
10
- 10
A
A
V
nA
毫伏/°C的
V
符号
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
www.vishay.com
2
文档编号： 68806
S- 82490 -REV 。 B， 13 - OCT- 08
Si5513CDC
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
T
J
= 25 ℃，除非另有说明
参数
动态
a
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
漏源体二极管特性
连续源极 - 漏极二极管电流
脉冲二极管正向电流
体二极管电压
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷
反向恢复下降时间
反向恢复上升时间
a
符号
测试条件
N沟道
N沟道
V
DD
= 10 V ，R
L
= 2.9
Ω
I
D
3.5 A，V
根
= 10 V ，R
g
= 1
Ω
P沟道
V
DD
= - 10 V ，R
L
= 5.3
Ω
I
D
- 1.9 A，V
根
= - 10 V ，R
g
= 1
Ω
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
N沟道
V
DD
= 10 V ，R
L
= 2.9
Ω
I
D
3.5 A，V
根
= 4.5 V ，R
g
= 1
Ω
P沟道
V
DD
= - 10 V ，R
L
= 5.3
Ω
I
D
- 1.9 A，V
根
= - 4.5 V ，R
g
= 1
Ω
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
I
S
= 3.5 A，V
GS
= 0 V
I
S
= - 1.9 A，V
GS
= 0 V
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
I
F
= 3.5 A， di / dt的= 100 A / μs的，T
J
= 25 °C
P沟道
I
F
= - 1.9 A， di / dt的= - 100 A / μs的，T
J
= 25 °C
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
分钟。
典型值。
5
4
10
12
14
15
6
6
8
19
9
40
16
18
8
8
马克斯。
10
8
20
18
21
23
12
12
16
29
18
60
24
27
16
16
2.6
- 2.6
10
-8
单位
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
ns
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
a
t
b
T
C
= 25 °C
A
0.8
- 0.8
10
15
3
9
6
10
4
5
1.2
- 1.2
15
22.5
4.5
13.5
V
ns
nC
ns
注意事项：
一。通过设计保证，不受生产测试。
B 。脉冲测试;脉冲宽度
≤
300微秒，占空比
≤
2 %.
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
文档编号： 68806
S- 82490 -REV 。 B， 13 - OCT- 08
www.vishay.com
3
Si5513CDC
Vishay Siliconix公司
N沟道典型特征
25 ℃，除非另有说明
10
V
GS
= 5通2.5
V
8
I
D
- 漏电流（ A）
I
D
- 漏电流（ A）
4
5
6
V
GS
= 2
V
4
3
2
T
C
= 25 °C
1
2
V
GS
= 1.5
V
0
0
1
2
3
4
5
T
C
= 125 °C
0
0.0
T
C
= - 55 °C
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
V
DS
- 漏 - 源
电压
(V)
V
GS
- 栅极 - 源极
电压
(V)
输出特性
0.10
400
传输特性
R
DS （ ON）
- 导通电阻（ Ω ）
0.08
- 电容（pF ）
V
GS
= 2.5
V
0.06
V
GS
= 4.5
V
0.04
320
C
国际空间站
240
160
0.02
80
C
RSS
C
OSS
0.00
0
2
4
6
8
10
0
0
4
8
12
16
20
I
D
- 漏电流（ A）
V
DS
- 漏 - 源
电压
(V)
导通电阻与漏电流和栅极电压
10
I
D
= 4.4 A
V
GS
- 栅极 - 源极
电压
(V)
8
V
DS
= 10
V
6
V
DS
= 16
V
4
R
DS （ ON）
- 导通电阻
1.4
1.6
电容
V
GS
= 4.5
V;
I
D
= 4.4 A
（归一化）
1.2
V
GS
= 2.5
V;
I
D
= 3.6 A
1.0
2
0.8
0
0
1
2
3
4
5
6
0.6
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
T
J
- 结温（ ° C）
栅极电荷
www.vishay.com
4
导通电阻与结温
文档编号： 68806
S- 82490 -REV 。 B， 13 - OCT- 08
Si5513CDC
Vishay Siliconix公司
N沟道典型特征
25 ℃，除非另有说明
100
0.10
I
D
= 4.4 A
R
DS （ ON）
- 导通电阻（ Ω ）
0.08
T
J
= 125 °C
0.06
I
S
- 源电流（ A）
10
T
J
= 150 °C
1
T
J
= 25 °C
0.04
T
J
= 25 °C
0.02
0.1
0.0
0.00
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
2
4
6
8
10
12
V
SD
- 源极到漏极
电压
(V)
V
GS
- 栅极 - 源极
电压
(V)
源极 - 漏极二极管正向电压
1.3
导通电阻与栅极至源极电压
30
25
1.1
20
功率（W）的
150
V
GS （ TH）
(V)
0.9
I
D
= 250
A
15
10
0.7
5
0.5
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
0
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
1
10
T
J
- 温度（℃ ）
时间（s）
阈值电压
100
单脉冲功率
有限
by
R
DS （ ON）
*
10
I
D
- 漏电流（ A）
100
s
1毫秒
10毫秒
0.1
T
A
= 25 °C
单脉冲
0.01
0.1
BVDSS有限公司
100毫秒
1 s, 10 s
DC
1
1
10
100
V
DS
- 漏 - 源
电压
(V)
*
V
GS
>最低
V
GS
at
哪
R
DS （ ON）
为特定网络版
安全工作区，结到环境
文档编号： 68806
S- 82490 -REV 。 B， 13 - OCT- 08
www.vishay.com
5
Si5513CDC
Vishay Siliconix公司
N和P沟道20 V（D -S）的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
N沟道
20
R
DS （ ON）
(Ω)
0.055在V
GS
= 4.5 V
0.085在V
GS
= 2.5 V
0.150在V
GS
= - 4.5 V
0.255在V
GS
= - 2.5 V
I
D
(A)
a
Q
g
（典型值）。
4
g
4
g
- 3.7
- 2.9
2.6 NC
特点
无卤符合IEC 61249-2-21
德网络nition
TrenchFET
功率MOSFET
100 % R
g
经过测试
符合RoHS指令2002/95 / EC
P沟道
- 20
3.6 NC
应用
负载开关，用于便携式设备
D
1
S
2
1206-8 ChipFET
1
S
1
D
1
D
1
D
2
D
2
G
1
S
2
G
2
标识代码
EG
XXX
G
1
很多可追溯性
和日期代码
S
1
G
2
零件编号代码
D
2
P沟道MOSFET
底部
意见
订货信息：
Si5513CDC-T1-E3
（铅（Pb ） - 免费）
Si5513CDC-T1-GE3
（铅（ Pb），并且无卤素）
N沟道
MOSFET
绝对最大额定值
T
A
= 25 ℃，除非另有说明
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150 °C)
T
C
= 25 °C
T
C
= 70 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
T
C
= 25 °C
T
A
= 25 °C
T
C
= 25 °C
T
C
= 70 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
D，E
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
N沟道
20
± 12
4
g
4
g
4
B，C ，G
3.5
B，C
10
2.6
1.4
B，C
3.1
2.0
1.7
B，C
1.1
B，C
P沟道
- 20
- 3.7
- 3.0
- 2.4
B，C
- 1.9
B，C
-8
- 2.6
- 1.7
B，C
3.1
2.0
1.3
B，C
0.8
B，C
单位
V
A
漏电流脉冲
源漏电流二极管电流
最大功率耗散
P
D
T
J
, T
英镑
W
工作结存储温度范围
焊接建议（峰值温度）
- 55 150
260
°C
热电阻额定值
N沟道
参数
最大
最大结到脚（漏极）
结到环境
B，F
t
≤
5s
稳定状态
符号
R
thJA
R
thJF
典型值。
62
32
马克斯。
74
40
P沟道
典型值。
77
33
马克斯。
95
40
单位
° C / W
注意事项：
一。基于T
C
= 25 °C.
B 。表面安装1" X 1" FR4板。
。 T = 5秒。
。见可靠性手册资料。该ChipFET是无铅封装。引线端子的端部露出的铜（未镀） ，结果
在制造单片化过程。的焊料圆角在暴露的铜尖不能得到保证，并且不要求保证
adequade底部焊接互连。
。返工条件：手工焊接用烙铁不推荐用于无铅元件。
F。在稳态条件下最大为115 ° C / N沟道和W为P沟道130 ° C / W 。
克。包装有限。
文档编号： 68806
S10-0547 -REV 。 C， 08 -MAR- 10
www.vishay.com
1
Si5513CDC
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
T
J
= 25 ℃，除非另有说明
参数
STATIC
漏源击穿电压
V
DS
温度COEF网络cient
V
GS （ TH）
温度COEF网络cient
栅极阈值电压
门体漏
V
DS
ΔV
DS
/T
J
ΔV
GS （ TH）
/T
J
V
GS （ TH）
I
GSS
V
GS
= 0 V，I
D
= 250 A
V
GS
= 0 V，I
D
= - 250 A
I
D
= 250 A
I
D
= - 250 A
I
D
= 250 A
I
D
= - 250 A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
V
DS
= V
GS
, I
D
= - 250 A
V
DS
= 0 V, V
GS
= ± 12 V
V
DS
= 20 V, V
GS
= 0 V
零栅极电压漏极电流
I
DSS
V
DS
= - 20 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 20 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 55 °C
V
DS
= - 20 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 55 °C
通态漏电流
b
I
D（上）
V
DS
≥
5 V, V
GS
= 4.5 V
V
DS
≤
- 5 V, V
GS
= - 4.5 V
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 4.4 A
漏源导通电阻
b
R
DS （ ON）
V
GS
= - 4.5 V，I
D
= - 2.4 A
V
GS
= 2.5 V，I
D
= 3.6 A
V
GS
= - 2.5 V，I
D
= - 1.9 A
正向跨导
b
动态
a
输入电容
输出电容
反向传输电容
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
P沟道
V
DS
= - 10 V, V
GS
= 0 V ， F = 1兆赫
V
DS
= 10 V, V
GS
= 5 V，I
D
= 4.4 A
总栅极电荷
Q
g
V
DS
= - 10 V, V
GS
= - 5 V，I
D
= - 2.4 A
N沟道
V
DS
= 10 V, V
GS
= 4.5 V，I
D
= 4.4 A
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
栅极电阻
Q
gs
Q
gd
R
g
P沟道
V
DS
= - 10 V, V
GS
= - 4.5 V，I
D
= - 2.4 A
F = 1 MHz的
N沟道
N沟道
V
DS
= 10 V, V
GS
= 0 V ， F = 1兆赫
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
0.6
1.3
285
252
65
62
30
45
2.8
3.9
2.6
3.6
0.7
0.6
0.5
1.2
3
6.5
6
13
Ω
4.2
5.6
3.9
5.4
nC
pF
g
fs
V
DS
= 10 V，I
D
= 4.4 A
V
DS
= - 10 V，I
D
= - 2.4 A
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
10
-8
0.045
0.120
0.065
0.204
12
5
0.055
0.150
0.085
0.255
S
Ω
0.6
- 0.6
20
- 20
23.7
- 19.5
- 3.5
2.8
1.5
- 1.5
100
- 100
1
-1
10
- 10
A
A
V
nA
毫伏/°C的
V
符号
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
www.vishay.com
2
文档编号： 68806
S10-0547 -REV 。 C， 08 -MAR- 10
Si5513CDC
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
T
J
= 25 ℃，除非另有说明
参数
动态
a
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
漏源体二极管特性
连续源极 - 漏极二极管电流
脉冲二极管正向电流
a
体二极管电压
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷
反向恢复下降时间
反向恢复上升时间
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
a
t
b
N沟道
I
F
= 3.5 A， di / dt的= 100 A / μs的，T
J
= 25 °C
P沟道
I
F
= - 1.9 A， di / dt的= - 100 A / μs的，T
J
= 25 °C
I
S
= 3.5 A，V
GS
= 0 V
I
S
= - 1.9 A，V
GS
= 0 V
T
C
= 25 °C
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
0.8
- 0.8
10
15
3
9
6
10
4
5
ns
2.6
- 2.6
10
-8
1.2
- 1.2
15
22.5
4.5
13.5
V
ns
nC
A
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
N沟道
N沟道
V
DD
= 10 V ，R
L
= 2.9
Ω
I
D
3.5 A，V
根
= 10 V ，R
g
= 1
Ω
P沟道
V
DD
= - 10 V ，R
L
= 5.3
Ω
I
D
- 1.9 A，V
根
= - 10 V ，R
g
= 1
Ω
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
N沟道
V
DD
= 10 V ，R
L
= 2.9
Ω
I
D
3.5 A，V
根
= 4.5 V ，R
g
= 1
Ω
P沟道
V
DD
= - 10 V ，R
L
= 5.3
Ω
I
D
- 1.9 A，V
根
= - 4.5 V ，R
g
= 1
Ω
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
5
4
10
12
14
15
6
6
8
19
9
40
16
18
8
8
10
8
20
18
21
23
12
12
16
29
18
60
24
27
16
16
ns
符号
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
注意事项：
一。通过设计保证，不受生产测试。
B 。脉冲测试;脉冲宽度
≤
300微秒，占空比
≤
2 %.
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
文档编号： 68806
S10-0547 -REV 。 C， 08 -MAR- 10
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3
Si5513CDC
Vishay Siliconix公司
N沟道典型特征
25 ℃，除非另有说明
10
V
GS
= 5
V
通2.5
V
8
I
D
- 漏电流（ A）
I
D
- 漏电流（ A）
4
5
6
V
GS
= 2
V
4
3
2
T
C
= 25 °C
1
2
V
GS
= 1.5
V
0
0
1
2
3
4
5
T
C
= 125 °C
0
0.0
T
C
= - 55 °C
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
V
DS
- 漏 - 源
电压
(V)
V
GS
- 栅极 - 源极
电压
(V)
输出特性
0.10
400
传输特性
R
DS （ ON）
- 导通电阻（ Ω ）
0.08
- 电容（pF ）
V
GS
= 2.5
V
0.06
V
GS
= 4.5
V
0.04
320
C
国际空间站
240
160
0.02
80
C
RSS
C
OSS
0.00
0
2
4
6
8
10
0
0
4
8
12
16
20
I
D
- 漏电流（ A）
V
DS
- 漏 - 源
电压
(V)
导通电阻与漏电流和栅极电压
10
I
D
= 4.4 A
V
GS
- 栅极 - 源极
电压
(V)
8
V
DS
= 10
V
6
V
DS
= 16
V
4
R
DS （ ON）
- 导通电阻
1.4
1.6
电容
V
GS
= 4.5
V;
I
D
= 4.4 A
（归一化）
1.2
V
GS
= 2.5
V;
I
D
= 3.6 A
1.0
2
0.8
0
0
1
2
3
4
5
6
0.6
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
T
J
- 结温（ ° C）
栅极电荷
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导通电阻与结温
文档编号： 68806
S10-0547 -REV 。 C， 08 -MAR- 10
Si5513CDC
Vishay Siliconix公司
N沟道典型特征
25 ℃，除非另有说明
100
0.10
I
D
= 4.4 A
R
DS （ ON）
- 导通电阻（ Ω ）
0.08
T
J
= 125 °C
0.06
I
S
- 源电流（ A）
10
T
J
= 150 °C
1
T
J
= 25 °C
0.04
T
J
= 25 °C
0.02
0.1
0.0
0.00
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
2
4
6
8
10
12
V
SD
- 源极到漏极
电压
(V)
V
GS
- 栅极 - 源极
电压
(V)
源极 - 漏极二极管正向电压
1.3
导通电阻与栅极至源极电压
30
25
1.1
20
V
GS （ TH）
(V)
0.9
I
D
= 250
A
功率（W）的
150
15
10
0.7
5
0.5
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
0
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
1
10
T
J
- 温度（℃ ）
时间（s）
阈值电压
100
单脉冲功率
有限
by
R
DS （ ON）
*
10
I
D
- 漏电流（ A）
100
s
1毫秒
10毫秒
0.1
T
A
= 25 °C
单脉冲
0.01
0.1
BVDSS有限公司
100毫秒
1 s, 10 s
DC
1
1
10
100
V
DS
- 漏 - 源
电压
(V)
*
V
GS
>最低
V
GS
at
哪
R
DS （ ON）
为特定网络版
安全工作区，结到环境
文档编号： 68806
S10-0547 -REV 。 C， 08 -MAR- 10
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