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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符S型号页 > 首字符S的型号第810页 > STGW30NC120HD
STGW30NC120HD
N沟道1200V - 30A - TO- 247
非常快的PowerMESH IGBT
特点
TYPE
V
CES
V
CE ( SAT )
@25°C
< 2.75V
I
C
@100°C
30A
STGW30NC120HD 1200V
低导通损耗
低导通压降( V
CESAT
)
高电流能力
高输入阻抗(电压驱动)
低栅电荷
理想的软开关应用
TO-247
2
1
3
应用
感应加热
图1 。
内部原理图
描述
采用了最新的高电压技术的基础上
其专利带布局,意法半导体
设计IGBT的一种先进的家庭,
出色的表现。后缀“ H”的
确定了高频率的系列优化
为了实现非常高的开关应用
性能(降低TFALL )维持低
电压降。
表1中。
设备简介
记号
GW30NC120HD
TO-247
包装
订货编号
STGW30NC120HD
2007年10月
第9版
1/13
www.st.com
13
目录
STGW30NC120HD
目录
1
2
电气额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
电特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
2.1
电特性(曲线)
............................. 6
3
4
5
测试电路
................................................ 9
包装机械的数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10
修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 12
2/13
STGW30NC120HD
电气额定值
1
电气额定值
表2中。
符号
V
CES
I
C (1)
I
C (1)
I
CL (2)
V
GE
P
合计
I
f
T
j
1.
绝对最大额定值
参数
集电极 - 发射极电压(V
GS
= 0)
集电极电流(连续),在25 ℃下
集电极电流(连续)在100℃下
集电极电流(脉冲)
栅极 - 发射极电压
总功耗在T
C
= 25°C
RMS二极管正向电流在T
C
= 25°C
工作结温
价值
1200
60
30
135
±25
220
30
-55到150
单位
V
A
A
A
V
W
A
°C
根据迭代式计算:
T
T
JMAX
C
I
(
T
)
= -----------------------------------------------------------------------------------------------------
-
C C
R
×
V
(
T
,
I
)
THJ
C
CESAT
(
最大
)
C C
2. VCLAMP = 80% BVces的,环境温度为150° C,R
G
=10, V
GE
=15V
表3中。
符号
Rthj情况
Rthj - AMB
Rthj - AMB
热阻
参数
热阻结案件
热阻结到环境(二极管)
热阻结到环境( IGBT )
价值
0.57
1.6
30
单位
° C / W
° C / W
° C / W
3/13
电气特性
STGW30NC120HD
2
电气特性
(T
= 25 ° C除非另有规定编)
表4 。
符号
V
BR (CES)上
V
CE ( SAT )
V
GE (日)
I
CES
I
GES
g
fs
STATIC
参数
集电极 - 发射极
击穿电压
测试条件
I
C
= 1mA时, V
GE
= 0
分钟。
1200
2.2
2.0
3.75
2.75
典型值。
马克斯。
单位
V
V
V
V
A
mA
nA
S
集电极 - 发射极饱和V
GE
= 15V ,我
C
= 20A , TJ = 25°C
电压
V
GE
= 15V ,我
C
= 20A , TJ = 125°C
栅极阈值电压
集电极 - 射极漏泄
电流(V
GE
= 0)
栅射极漏泄
电流(V
CE
= 0)
正向跨导
V
CE
= V
GE
, I
C
= 250A
V
CE
=最大额定值, TC = 25℃
V
CE
=最大额定值, TC = 125°C
V
GE
=± 20V, V
CE
= 0
V
CE
= 25V
,
I
C
= 20A
5.75
500
10
± 100
14
表5 。
符号
C
IES
C
OES
C
水库
Q
g
Q
ge
Q
gc
动态
参数
输入电容
输出电容
反向传输
电容
总栅极电荷
栅极 - 射极电荷
栅极电荷收集
测试条件
分钟。
典型值。
2510
175
30
110
16
49
马克斯。
单位
pF
pF
pF
nC
nC
nC
V
CE
= 25V , F = 1兆赫,V
GE
=0
V
CE
= 960V,
I
C
= 20A ,V
GE
=15V
4/13
STGW30NC120HD
电气特性
表6 。
符号
t
D(上)
t
r
( di / dt的)
on
t
D(上)
t
r
( di / dt的)
on
t
r
(V
关闭
)
t
d
(
关闭
)
t
f
t
r
(V
关闭
)
t
d
(
关闭
)
t
f
开启/关闭(感性负载)
参数
导通延迟时间
电流上升时间
导通电流斜率
导通延迟时间
电流上升时间
导通电流斜率
关闭电压上升时间
打开-O FF延迟时间
电流下降时间
关闭电压上升时间
打开-O FF延迟时间
电流下降时间
测试条件
V
CC
= 960V ,我
C
= 20A
R
G
= 10 V
GE
= 15V,
,
Tj=25°C
(参见图17)
V
CC
= 960V ,我
C
= 20A
,
R
G
= 10 V
GE
= 15V,
TJ = 125°C
(参见图17)
V
CC
= 960V ,我
C
= 20A
,
R
G
= 10 V
GE
= 15V,
TJ = 25°C
(参见图17)
V
CC
= 960V ,我
C
= 20A
R
G
= 10 V
GE
= 15V,
,
TJ = 125°C
(参见图17)
分钟。
典型值。
29
11
1820
27
14
1580
90
275
312
150
336
592
马克斯。
单位
ns
ns
A / μs的
ns
ns
A / μs的
ns
ns
ns
ns
ns
ns
表7中。
符号
(1)
E
关( 2)
E
ts
(1)
E
关( 2)
E
ts
1.
开关能量(电感性负载)
参数
导通开关损耗
关断的开关损耗
总开关损耗
导通开关损耗
关断的开关损耗
总开关损耗
测试条件
V
CC
= 960V ,我
C
= 20A
,
R
G
= 10 V
GE
= 15V,
TJ = 25°C
(参见图17)
V
CC
= 960V ,我
C
= 20A
,
R
G
= 10 V
GE
= 15V,
TJ = 125°C
(参见图17)
分钟。
典型值。
1660
4438
6098
3015
6900
9915
马克斯。
单位
J
J
J
J
J
J
宙是接通损耗时,一个典型的二极管被用在测试电路在图2中如果IGBT是提供在
一包与助包二极管,共包二极管被用作外部二极管。的IGBT &二极管是在
同一温度( 25℃和125 ℃)下
2.关断损耗还包括集电极电流的尾巴
表8 。
符号
V
f
t
rr
Q
rr
I
RRM
集电极 - 发射极二极管
参数
在正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
测试条件
IF = 20A , TJ = 25°C
IF = 20A , TJ = 125℃
IF = 20A ,V
R
= 27V,
T
j
= 125°C ,的di / dt = 100A / μs的
(参见图20)
分钟。
典型值。
1.9
1.7
152
722
9
马克斯。
2.5
单位
V
V
ns
nC
A
5/13
STGW30NC120HD
N沟道1200V - 30A - TO- 247
非常快的PowerMESH IGBT
一般特点
TYPE
V
CES
V
CE ( SAT )
@25°C
< 2.75V
I
C
@100°C
30A
STGW30NC120HD 1200V
低导通损耗
低导通压降( V
CESAT
)
高电流能力
高输入阻抗(电压驱动)
低栅电荷
理想的软开关应用
TO-247
描述
采用了最新的高电压技术的基础上
其专利带布局,意法半导体
设计IGBT的一种先进的家庭,
出色的表现。后缀“ H”的
确定了高频率的系列优化
为了实现非常高的开关应用
性能(降低TFALL )维持低
电压降。
内部原理图
应用
感应加热
订购代码
产品型号
STGW30NC120HD
记号
GW30NC120HD
TO-247
包装
2007年1月
转8
1/13
www.st.com
13
目录
STGW30NC120HD
目录
1
2
电气额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
电特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
2.1
电特性(曲线)
............................. 6
3
4
5
测试电路
................................................ 9
包装机械的数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10
修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 12
2/13
STGW30NC120HD
电气额定值
1
电气额定值
表1中。
符号
V
CES
I
C (1)
I
C (1)
I
CL (2)
V
GE
P
合计
I
f
T
j
T
英镑
1.
绝对最大额定值
参数
集电极 - 发射极电压(V
GS
= 0)
集电极电流(连续),在25 ℃下
集电极电流(连续)在100℃下
集电极电流(脉冲)
栅极 - 发射极电压
总功耗在T
C
= 25°C
RMS二极管正向电流在T
C
= 25°C
工作结温
-55到150
储存温度
°C
价值
1200
60
30
135
±25
220
30
单位
V
A
A
A
V
W
A
根据迭代式计算:
T
T
JMAX
C
I
(
T
)
= -----------------------------------------------------------------------------------------------------
-
C C
R
×
V
(
T
,
I
)
THJ
C
CESAT
(
最大
)
C C
2. VCLAMP = 960V , TJ = 125 ° C,R
G
=10, V
GE
=15V
表2中。
符号
Rthj情况
Rthj - AMB
Rthj - AMB
热阻
参数
热阻结案件
热阻结到环境(二极管)
热阻结到环境( IGBT )
价值
0.57
1.6
50
单位
° C / W
° C / W
° C / W
3/13
电气特性
STGW30NC120HD
2
电气特性
(T
= 25 ° C除非另有规定编)
表3中。
符号
V
BR (CES)上
V
CE ( SAT )
V
GE (日)
I
CES
I
GES
g
fs
STATIC
参数
集电极 - 发射极
击穿电压
测试条件
I
C
= 1mA时, V
GE
= 0
分钟。
1200
2.2
2.0
3.75
2.75
典型值。
马克斯。
单位
V
V
V
V
A
mA
nA
S
集电极 - 发射极饱和V
GE
= 15V ,我
C
= 20A , TJ = 25°C
电压
V
GE
= 15V ,我
C
= 20A , TJ = 125°C
栅极阈值电压
集电极 - 射极漏泄
电流(V
CE
= 0)
栅射极漏泄
电流(V
CE
= 0)
正向跨导
V
CE
= V
GE
, I
C
= 250A
V
GE
=最大额定值, TC = 25℃
V
GE
=最大额定值, TC = 125°C
V
GE
=± 20V , V
CE
= 0
V
CE
= 25V
,
I
C
= 20A
5.75
500
10
± 100
14
表4 。
符号
C
IES
C
OES
C
水库
Q
g
Q
ge
Q
gc
动态
参数
输入电容
输出电容
反向传输
电容
总栅极电荷
栅极 - 射极电荷
栅极电荷收集
测试条件
分钟。
典型值。
2510
175
30
110
16
49
120
马克斯。
单位
pF
pF
pF
nC
nC
nC
V
CE
= 25V , F = 1兆赫,V
GE
=0
V
CE
= 960V,
I
C
= 20A ,V
GE
=15V
4/13
STGW30NC120HD
电气特性
表5 。
符号
t
D(上)
t
r
( di / dt的)
on
t
D(上)
t
r
( di / dt的)
on
t
r
(V
关闭
)
t
d
(
关闭
)
t
f
t
r
(V
关闭
)
t
d
(
关闭
)
t
f
开启/关闭(感性负载)
参数
导通延迟时间
电流上升时间
导通电流斜率
导通延迟时间
电流上升时间
导通电流斜率
关闭电压上升时间
打开-O FF延迟时间
电流下降时间
关闭电压上升时间
打开-O FF延迟时间
电流下降时间
测试条件
V
CC
= 960V ,我
C
= 20A
R
G
= 10 V
GE
= 15V,
,
Tj=25°C
(参见图16)
V
CC
= 960V ,我
C
= 20A
,
R
G
= 10 V
GE
= 15V,
TJ = 125°C
(参见图16)
V
CC
= 960V ,我
C
= 20A
,
R
G
= 10 V
GE
= 15V,
TJ = 25°C
(参见图16)
V
CC
= 960V ,我
C
= 20A
R
G
= 10 V
GE
= 15V,
,
TJ = 125°C
(参见图16)
分钟。
典型值。
29
11
1820
27
14
1580
90
275
312
150
336
592
马克斯。
单位
ns
ns
A / μs的
ns
ns
A / μs的
ns
ns
ns
ns
ns
ns
表6 。
符号
(1)
E
关( 2)
E
ts
(1)
E
关( 2)
E
ts
1.
开关能量(电感性负载)
参数
导通开关损耗
关断的开关损耗
总开关损耗
导通开关损耗
关断的开关损耗
总开关损耗
测试条件
V
CC
= 960V ,我
C
= 20A
,
R
G
= 10 V
GE
= 15V,
TJ = 25°C
(参见图16)
V
CC
= 960V ,我
C
= 20A
,
R
G
= 10 V
GE
= 15V,
TJ = 125°C
(参见图16)
分钟。
典型值。
1660
4438
6098
3015
6900
9915
马克斯。
单位
J
J
J
J
J
J
宙是接通损耗时,一个典型的二极管被用在测试电路在图2中如果IGBT是提供在
一包与助包二极管,共包二极管被用作外部二极管。的IGBT &二极管是在
同一温度( 25℃和125 ℃)下
2.关断损耗还包括集电极电流的尾巴
表7中。
符号
V
f
t
rr
Q
rr
I
RRM
集电极 - 发射极二极管
参数
在正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
测试条件
IF = 20A , TJ = 25°C
IF = 20A , TJ = 125℃
IF = 20A ,V
R
= 27V,
T
j
= 125°C ,的di / dt = 100A / μs的
(参见图19)
分钟。
典型值。
1.9
1.7
152
722
9
马克斯。
2.5
单位
V
V
ns
nC
A
5/13
STGW30NC120HD
N沟道30A - 1200V - TO- 247
非常快的PowerMESH IGBT
目标特定网络阳离子
一般特点
TYPE
STGW30NC120HD
V
CES
1200V
V
CE ( SAT )
(最大值) @ 25°C
< 2.8V
I
C
30A
低导通损耗
3
低导通压降( V
CESAT
)
高电流能力
高输入阻抗(电压
驱动)
低栅电荷
甚高频运行
锁存电流自由运作
TO-247
2
1
内部原理图
描述
采用了最新的高电压技术的基础上
其专利带布局,意法半导体
设计IGBT的一种先进的家庭,
出色的表现。后缀“ H”的
确定了高频率的系列优化
为了实现非常高的开关应用
表演(减少TFALL ) mantaining低
电压降。
应用
高频电机控制
U.P.S
焊接设备
感应加热
订购代码
销售类型
STGW30NC120HD
记号
GW30NC120HD
TO-247
包装
REV 1
1/9
www.st.com
9
2005年11月
这是要发展就预见到了新产品的初步信息。详细信息如有变更,恕不另行通知
1电气额定值
STGW30NC120HD
1
表1中。
电气额定值
绝对最大额定值
参数
集电极 - 发射极电压(V
GS
= 0)
集电极电流(连续),在25 ℃下
集电极电流(连续)在100℃下
集电极电流(脉冲)
栅极 - 发射极电压
总功耗在T
C
=25°C
RMS二极管正向电流在T
C
=25°C
工作结温
- 55 150
T
英镑
储存温度
°C
价值
1200
60
30
120
± 20
200
200
单位
V
A
A
A
V
W
符号
V
CES
I
C
2
I
C
2
I
CM
1
V
GE
P
合计
I
f
T
j
表2中。
热阻
分钟。
典型值。
--
--
马克斯。
0.625
50
单位
° C / W
° C / W
Rthj情况
Rthj - AMB
热阻结案件
热阻结到环境
--
--
2/9
STGW30NC120HD
2电气特性
2
电气特性
(T
= 25 ° C除非另有说明)
表3中。
符号
V
BR (CES)上
V
CE ( SAT )
V
GE (日)
I
CES
STATIC
参数
Collectro发射极击穿
电压
集电极 - 发射极饱和
电压
栅极阈值电压
集电极 - 射极漏泄
电流(V
CE
= 0)
栅射极漏泄
电流(V
CE
= 0)
正向跨导
测试条件
I
C
= 250μA ,V
GE
= 0
V
GE
= 15V ,我
C
= 20A , TJ = 25°C
V
GE
= 15V ,我
C
= 20A , TJ = 125°C
V
CE
= V
GE
, I
C
= 250A
V
GE
=最大额定值, TC = 25℃
V
GE
=最大额定值, TC = 125°C
V
GE
=± 20V , V
CE
= 0
V
CE
= 25V
,
I
C
= 25A
待定
5
分钟。
1200
2.4
2
2.9
典型值。
马克斯。
单位
V
V
V
V
A
A
nA
S
7
10
100
± 100
I
GES
g
fs
表4 。
符号
C
IES
C
OES
C
水库
Qg
QGE
QGC
动态
参数
测试条件
分钟。
典型值。
待定
待定
待定
待定
待定
待定
待定
马克斯。
单位
pF
pF
pF
nC
nC
nC
输入电容
V
CE
= 25V , F = 1兆赫,V
GE
= 0
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
栅极 - 射极电荷
栅极电荷收集
V
CE
= 960V ,我
C
=20A,V
GE
=15V
3/9
2电气特性
STGW30NC120HD
表5 。
符号
t
D(上)
t
r
( di / dt的)
on
t
D(上)
t
r
( di / dt的)
on
t
r
(V
关闭
)
t
d
(
关闭
)
t
f
t
r
(V
关闭
)
t
d
(
关闭
)
t
f
开启/关闭(感性负载)
参数
导通延迟时间
电流上升时间
导通电流斜率
导通延迟时间
电流上升时间
导通电流斜率
关闭电压上升时间
打开-O FF延迟时间
电流下降时间
交叉时间
关闭电压上升时间
打开-O FF延迟时间
电流下降时间
测试条件
V
CC
= 960V ,我
C
= 20A
R
G
= 10, V
GE
= 15V , TJ = 25°C
(参见图3)
V
CC
= 960V ,我
C
= 20A
R
G
= 10, V
GE
= 15V , TJ = 125°C
(参见图3)
V
CC
= 960V ,我
C
= 20A
R
G
= 10, V
GE
= 15V , TJ = 25°C
(参见图3)
V
CC
= 960V ,我
C
= 20A
R
G
= 10, V
GE
= 15V , TJ = 125°C
(参见图3)
分钟。
典型值。
待定
62
待定
待定
待定
待定
待定
待定
待定
待定
待定
待定
马克斯。
单位
ns
ns
A / μs的
ns
ns
A / μs的
ns
ns
ns
ns
ns
ns
表6 。
符号
3
E
关闭
4
E
ts
3
E
关闭
4
E
ts
开关能量(电感性负载)
参数
导通开关损耗
关断的开关损耗
总开关损耗
导通开关损耗
关断的开关损耗
总开关损耗
测试条件
V
CC
= 960V ,我
C
= 20A
R
G
= 10, V
GE
= 15V , TJ = 25°C
(参见图3)
V
CC
= 960V ,我
C
= 20A
R
G
= 10, V
GE
= 15V , TJ = 125°C
(参见图3)
分钟。
典型值。
待定
待定
待定
待定
待定
待定
马克斯。
单位
J
J
J
J
J
J
表7中。
符号
V
f
t
rr
Q
rr
I
RRM
集电极 - 发射极二极管
参数
在正向电压
测试条件
如果= 12A
IF = 12A , TJ = 125°C
分钟。
典型值。
2.4
1.4
待定
待定
待定
马克斯。
2.9
单位
V
V
ns
nC
A
IF = 12A ,V
R
= 27V,
反向恢复时间
反向恢复电荷牛逼
j
= 125°C ,的di / dt = 100A / μs的
反向恢复电流(见图4)
( 1 )脉冲宽度有限的最高结温
(2)根据迭代公式计算:
T
–T
JMAX
C
I
(
T
)
= -------------------------------------------------------------------------------------------------
-
C C
R
×
V
(T
,
I )
THJ - C
CESAT
(
最大
)
C C
(3)宙是接通损耗时,一个典型的二极管被用在测试电路在图2中如果IGBT与一个提供在一个包
助组二极管,共包二极管被用作外部二极管。的IGBT &二极管是在同一温度( 25℃和125 ℃)下
( 4 )关断损耗还包括集电极电流的尾巴
4/9
STGW30NC120HD
3测试电路
3
测试电路
对于感性负载测试电路
开关
图2中。
栅极电荷测试电路
图1 。
网络连接gure 3 。
开关波形
图4中。
二极管的恢复时间波形
5/9
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