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P沟道30V - 0.012

- 10A型SO- 8

的STripFET II功率MOSFET

表1 ：一般特点

TYPE

STS10PF30L

■

STS10PF30L

图1 ：包装

DS （ ON）

<0.014

10 A

DSS

30V

■

典型

（上） = 0.012

STANDARDOUTLINEFOR EASY

自动化表面贴装

低阈值DRIVE

描述

这是功率MOSFET的最新发展

STMicroelectronis独特"Single特征大小 "

条形基础的过程。由此产生的晶体管

显示了极高的堆积密度低导通

性。

应用

■

电池管理游牧

设备

■

负荷开关

SO-8

图2 ：内部原理图

表2：

订购代码

销售类型

STS10PF30L

记号

S10PF30L

包

SO-8

包装

磁带&卷轴

表3：

绝对最大额定值

符号

DGR

()

合计

参数

漏源电压（V

= 0)

漏，栅极电压（R

= 20 k)

栅 - 源电压

漏电流（连续）在T

= 25°C

漏电流（连续）在T

= 100°C

漏电流（脉冲）

总功耗在T

= 25°C

价值

± 16

2.5

单位

注意：对于电压的P沟道MOSFET的实际极性和

电流具有被逆转

2005年5月

启示录

2.0

1/9

STS10PF30L

表4：

热数据

Rthj - AMB

Rthj铅

英镑

(*)

热

电阻结到环境

热阻结到引线

最大无铅焊接温度的目的

储存温度

最大

典型值

150

-55到150

° C / W

°C

(*)

当安装在1英寸

FR-4板， 2盎司Cu和吨的

10秒。

电气特性

例

= 25 ° C除非另有说明）

表5：

关闭

符号

（ BR ） DSS

DSS

参数

漏源

击穿电压

零栅极电压

漏电流（V

= 0)

门体漏

电流（V

= 0)

测试条件

= 250 μA ，V

= 0

=最大额定值

=最大额定值牛逼

= 125°C

= ± 16 V

分钟。

±100

典型值。

马克斯。

单位

GSS

表6：

(*)

符号

GS （ TH）

DS （ ON）

参数

栅极阈值电压

静态漏源

阻力

测试条件

= V

= 10 V

= 4.5 V

= 250 A

= 5 A

分钟。

0.012

0.015

0.014

0.018

典型值。

马克斯。

单位

表7：

动态

符号

国际空间站

OSS

RSS

参数

正向跨导

输入电容

输出电容

反向传输

电容

测试条件

= 10 V

= 5 A

分钟。

典型值。

2300

750

115

马克斯。

单位

= 25V ， F = 1兆赫，V

= 0

2/9

STS10PF30L

电气特性

（续）

表8：

接通

符号

D（上）

参数

导通延迟时间

上升时间

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

测试条件

= 15 V

= 5 A

= 4.5 V

= 4.7

（阻性负载，图15）

= 15V我

= 10A V

=4.5V

（见测试电路，图16 ）

分钟。

典型值。

6.8

7.6

马克斯。

单位

表9 ：

关闭

符号

D（关闭）

参数

打开-O FF延迟时间

下降时间

测试条件

= 15 V

= 5 A

= 4.5 V

= 4.7,

（阻性负载，图15）

分钟。

典型值。

马克斯。

单位

表10：

源漏二极管

符号

SDM

SD （*）

RRM

参数

源极 - 漏极电流

源极 - 漏极电流（脉冲）

正向电压上

反向恢复时间

反向恢复电荷

反向恢复电流

= 10 A

= 0

48.5

2.8

测试条件

分钟。

典型值。

马克斯。

1.2

单位

= 10 A

的di / dt = 100A / μs的

= 150°C

= 15 V

（见测试电路，图17 ）

(*)

脉冲宽度

300微秒，占空比为1.5％。

()

脉冲宽度限制T

JMAX

图3：

安全工作区

图4：

热阻抗

3/9

STS10PF30L

图5：

输出特性

图6：

传输特性

图7：

跨

图8：

静态漏源导通电阻

图9：

栅极电荷VS栅源电压

图10：

电容变化

4/9

STS10PF30L

图11：

归栅极阈值电压VS

温度

图12：

归一通电阻与温度

图13 ：

源极 - 漏极二极管的正向

特征

图14：

归一化的击穿电压VS

温度。

5/9

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