Si5513CDC
Vishay Siliconix公司
P- CHANNEL典型特征
25 ℃，除非另有说明
5
4
I
D
- 漏电流（ A）
3
2
1
0
0
25
50
75
100
125
150
T
C
- 外壳温度（ ° C）
电流降额*
4.0
1.2
3.2
0.9
功率（W）的
2.4
功率（W）的
0.6
1.6
0.3
0.8
0.0
0
25
50
75
100
125
150
0.0
0
25
50
75
100
125
150
T
C
- 外壳温度（ ° C）
T
A
- 环境温度（ ° C）
动力方面，结至外壳
动力方面，结到环境
*功耗P
D
是以T
J（下最大）
= 150℃，使用结到外壳的热阻，并且是在解决上更加有用
散热限制的情况下额外的散热使用。它被用来确定额定电流，当该等级下降的包下面
极限。
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10
文档编号： 68806
S10-0547 -REV 。 C， 08 -MAR- 10
