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AT90USB64/128
7
读/写
R
读/写
初始值
0
X
6
R
读/写
0
X
5
R
读/写
0
X
4
R
读/写
0
X
3
读/写
读/写
X
X
2
读/写
读/写
X
X
1
读/写
读/写
X
X
0
读/写
读/写
X
X
位15..12 - Res：保留位
这些位是保留位在AT90USB64 / 128 ，读为零。
位11..0 - EEAR8..0 ： EEPROM地址
EEPROM地址寄存器 - EEARH和EEARL指定了4K EEPROM地址
字节的EEPROM空间。 EEPROM的数据字节0到4096之间线性寻址。
EEAR的初始值是不确定的。一个适当的值必须EEPROM之前被写入可
被访问。
5.3.3
EEPROM数据寄存器 - EEDR
位
7
最高位
读/写
初始值
读/写
0
读/写
0
读/写
0
读/写
0
读/写
0
读/写
0
读/写
0
6
5
4
3
2
1
0
最低位
读/写
0
EEDR
位7..0 - EEDR7.0 ： EEPROM数据
对于EEPROM写操作， EEDR寄存器包含将要写入的数据
EEPROM中的寄存器EEAR给出的地址。对EEPROM的读操作，则
EEDR包含从EEPROM在由EEAR给出的地址读出的数据。
5.3.4
EEPROM控制寄存器 - EECR
位
7
–
读/写
初始值
R
0
6
–
R
0
5
EEPM1
读/写
X
4
EEPM0
读/写
X
3
EERIE
读/写
0
2
EEMPE
读/写
0
1
EEPE
读/写
X
0
EERE
读/写
0
EECR
位7..6 - Res：保留位
这些位是保留位在AT90USB64 / 128 ，读为零。
位5,4 - EEPM1和EEPM0 ： EEPROM编程模式位
该EEPROM编程模式位的设置决定的编程操作，这将是触发
复位此输出写入EEPE时。它可以编程在一个原子操作中的数据（擦除旧
价值和程序新值）或将擦除，并在两个不同的写操作
操作。的编程时间的不同模式示于
表5-2 。
同时EEPE
设置，任何写EEPMn将被忽略。在复位过程中， EEPMn位将复位为0b00
除非EEPROM处于编程。
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7593A–AVR–02/06
