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可选的外部数据SRAM可以使用与AT90USB64 / 128 。该SRAM将占用
的区域中，在64K的地址空间上的剩余地址单元中。这个区域开始于
处理后的内部SRAM 。寄存器文件， I / O ，扩展的I / O和内部SRAM
占据最低的4,608 / 8,704字节，所以使用外部存储器时， 64KB （ 65,536字节） ，
可60478 / 56832字节的外部存储器。看
在“外部存储器接口”
第29页
就如何采取外部存储器映射的优势的详细信息。
当访问SRAM存储器空间中的地址超过内部数据存储器
位置时，外部数据SRAM使用相同的指令作为内部访问
数据存储器的访问。当内部数据存储器进行存取，读写选通
销（ PE0和PE1 ）是整个访问周期时无效。外部SRAM
通过设置寄存器XMCRA的SRE位使能。
访问外部SRAM要多一个额外的时钟周期比的访问
内部SRAM 。这意味着，命令LD ， ST ， LDS ， STS ， LDD ， STD ， PUSH和POP
需要一个额外的时钟周期。如果堆栈放置在外部SRAM ，中断子程序
调用和返回需要三个时钟周期，因为有3个字节的程序计数器是
入栈和出栈，以及外部存储器访问不采取内部用户喉─优势
行存储器的访问。当外部SRAM接口使用的等待状态，一个字节的外部
访问带有两个，三个或四个附加的时钟周期为一个，两个，和三个等待状态
分别。中断，子程序调用和返回都需要五，七，或9个时钟周期
比指令集手册一，二，三等待状态指定了。
对于数据存储器的五个不同的寻址方式：直接寻址，带偏移
包换，间接寻址，带预减量和间接后增量。在寄存器文件，
寄存器R26到R31为间接寻址的指针寄存器。
直接寻址范围可达整个数据空间。
间接与位移模式，达到从给定的基址63个地址
由Y轴或Z寄存器。
当使用带预减和后加的间接寻址模式
精神疾病，该地址寄存器X，Y和Z的增加或减少。
在32个通用工作寄存器， 64个I / O寄存器，以及8,192个字节的内部数据
SRAM的AT90USB64 / 128可通过所有上述的寻址模式进入。该稳压
存器文件中所描述
第12页的“通用寄存器文件” 。
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AT90USB64/128
7593A–AVR–02/06
