位置：首页 > IC型号导航 > 首字符A型号页 > 首字符A的型号第892页 > AT90USB647-16AU > AT90USB647-16AU PDF资料 > AT90USB647-16AU PDF资料3第22页
图5-3 。
片上数据SRAM访问周期
T1
T2
T3
CLK
中央处理器
地址
数据
WR
数据
RD
计算地址
地址有效
存储器访问指令
下一条指令
5.3
EEPROM数据存储器
该AT90USB64 / 128包含2K / 4K字节的数据EEPROM存储器。它是作为一个sep-
独的数据空间，在其中，可以按字节读写。 EEPROM中有一个
续航能力至少100,000次写/擦除周期。 EEPROM与之间的访问
CPU在下面描述的，指定的EEPROM地址寄存器， EEPROM的
数据寄存器和EEPROM控制寄存器。
对于SPI ， JTAG和并行数据下载到EEPROM中的详细描述，请参见
382页， 387页，
和
371页
分别。
5.3.1
EEPROM读/写访问
EEPROM的访问寄存器位于I / O空间。
EEPROM的写访问时间见
表5-3 。
自定时功能，但是，
可以让用户软件监测何时开始下一个字节可以被写入。如果用户代码包含指令
系统蒸发散的写EEPROM ，有些必须采取预防措施。在严格的滤波电源
耗材，V
CC
有可能上升或下降缓慢上电/下。这使得该设备对于一些
的时间周期，以在电压低于规定的最小为所用的时钟频率运行。
请参见第27页上的“防止EEPROM腐败” 。
对于如何避免这些问题的详细信息
的情况。
为了防止无意识的EEPROM写操作，具体写的程序必须遵循。
指的是EEPROM控制寄存器有关细节的描述。
当EEPROM被读取后， CPU停止工作4个周期前的下一条指令
执行。当EEPROM写入时，CPU先下一停止两个时钟周期
指令被执行。
5.3.2
EEPROM地址寄存器 - EEARH和EEARL
位
15
–
EEAR7
14
–
EEAR6
13
–
EEAR5
12
–
EEAR4
11
EEAR11
EEAR3
10
EEAR10
EEAR2
9
EEAR9
EEAR1
8
EEAR8
EEAR0
EEARH
EEARL
22
AT90USB64/128
7593A–AVR–02/06
读
写
