应用电路
+5 V –5 V
R
RT2
12 k
RTRIP1
R
RT1
515 k
C
AX
2.2 nF的
K1
K1
C
RT
1.5 F
R
FA
= 50
TIP
Bat1
VCC
VNEG
RD
RSGH
RSGL
VTX
R
D
66 k
R
SGH
开放
R
SGL
开放
V
TX
RTRIP2
A（ TIP ）
C
HP
18 nF的
百帕
HPB
B（ RING ）
R
T1
R
T2
C
T
R
DC2
50 k
125 k
摹TISP一
61089 A
K2
K2
R
RX
125 k 250 k
V
RX
R
DC1
50 k
C
DC
820 nF的
C
DCR
10 nF的
R
DCR2
15 k
RSN
环
R
FB
= 50
C
BX
2.2 nF的
RYOUT1
RYOUT2
RYE
RDC
R
DCR1
RDCR
15 k
D
1
BAT1
D
2
BAT2
0.1 F
BGND
0.1 F
VBAT2
VBAT1
B2EN
C1
C2
C3
D1
D2
E1
DET
在响
AGND /
DGND
R
SLEW
150 k
见注。
C
SLEW
0.33 F
电池
地
假设：
1. CF 1.25
2. 25毫安我
环
3. 100毫安振铃电流限制
注意：
4. 5.2 kΩ的高电池循环阈值
5. 925
振铃循环阈值
6. 600
两线阻抗，
600
Z
L
7. G
42L
= 1
8， -70 V VBAT1 ， -24 V VBAT2
类似物
地
数字
地
输入应为50 ％的占空比CMOS兼容输入。
一，应用电路
SLIC产品
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