测试电路（续）
+5 V –5 V
R
RT2
12 k
C
AX
2.2 nF的
A（ TIP ）
C
HP
B（ RING ）
C
BX
2.2 nF的
RYOUT1
RYOUT2
RYE
B2EN
C1
C2
C3
D1
D2
E1
DET
BGND
在响
AGND /
DGND
C
SLEW
0.33 F
18 nF的
A（ TIP ）
百帕
HPB
B（ RING ）
RTRIP1
R
RT1
430 k
RTRIP2
VCC
VNEG
RD
RSGH
RSGL
VTX
R
D
75 k
R
SGH
开放
R
SGL
开放
V
TX
R
RX
300 k
V
RX
R
DC2
80 k
RDC
R
DCR
RDCR
2.0 k
C
DC
1.2 F
注意：
R
DC1
20 k
请参考应用电路
推荐配置。
C
RT
1.5 F
R
T
300 k
RSN
D
1
BAT1
D
2
BAT2
0.1 F
0.1 F
VBAT2
VBAT1
R
SLEW
100 k
参见下面的注释。
电池
地
类似物
地
注意：
输入应为50 ％的占空比CMOS兼容输入。
数字
地
H. Am79R79测试电路
16
Am79R79数据表
