直流馈电特性
50
5) V
APPH
高电池反星期六
4) V
ASH
40
V
AB
（伏）
30
1 ）恒流区
20
3) V
APPL
电池电量低抗周六
2) V
翔升
10
0
I
L
（MA ）
30
图1.典型的V
AB
与我
L
直流馈电特性
R
DC
= R
DC1
+ R
DC2
= 20 k + 80 k = 100 k
(
V
BAT1
= – 75 V ,V
BAT2
= – 24 V
)
注意事项：
1.恒流区：
2500
-
V
AB
= I
L
R
L
= ------------ R
L
;
哪里
R
L
= R
L
+ 2R
F
,
RDC
V
翔升
1000
(
104
10 + R
SGL
)
= ----------------------------------------------------------------- ;
其中R
SGL
=电阻到GND ， B2EN =逻辑低电平。
-
3
6720
10 +
(
80
R
SGL
)
3
3
2.低电量
反SAT地区：
3.
1000
(
R
SGL
– 56
10
)
V
翔升
= -------------------------------------------------------------- ;
其中R
SGL
=电阻到V
CC
， B2EN =逻辑低电平。
-
3
6720
10 +
(
80
R
SGL
)
R
SGL
到V
CC
必须大于100 kΩ的。
V
APPL
= 4.17 + V
翔升
V
APPL
-
I
LOOPL
= ------------------------------------------------------------------------------
(
R
DC1
+ R
DC2
)
------------------------------------- + 2R
F
+ R
环
-
600
4.高电池
反SAT地区：
V
ASH
= V
ASHH
+ V
翔升
V
ASHH
1000
(
70
10 + R
SGH
)
= ---------------------------------------------------------------------- ;
其中R
SGH
=电阻到GND ， B2EN =逻辑高电平。
-
3
1934
10 +
(
31.75
R
SGH
)
1000
(
R
SGH
+ 2.75
10
)
= ---------------------------------------------------------------------- ;
其中R
SGH
=电阻到V
CC
， B2EN =逻辑高电平。
-
3
1934
10 +
(
31.75
R
SGH
)
R
SGH
到V
CC
必须大于100 kΩ的。
= 4.17 + V
ASH
3
3
V
ASHH
5.
V
APPH
V
APPH
I
LOOPH
= ------------------------------------------------------------------------------
-
(
R
DC1
+ R
DC2
)
-------------------------------------- + 2R
F
+ R
环
600
12
Am79R79数据表
