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ADG5436
特定网络阳离子
± 15 V双电源供电
V
DD
= +15 V ± 10%, V
SS
=发-15V ± 10％ ，GND = 0V ，除非另有说明。
表1中。
参数
模拟开关
模拟信号范围
导通电阻，R
ON
导通电阻匹配
通道之间， ΔR
ON
导通电阻平坦度，R
平（ON）的
漏电流
源关闭泄漏，我
S
（关闭）
流掉泄漏，我
D
（关闭）
渠道渗漏，我
D
（上） ，我
S
（上）
数字输入
输入高电压，V
INH
输入低电压，V
INL
输入电流I
INL
还是我
INH
数字输入电容，C
IN
动态特性
1
过渡时间，t
过渡
t
ON
t
关闭
突破前先延时，T
D
电荷注入，Q
INJ
关断隔离
通道到通道的串扰
总谐波失真+噪声
-3 dB带宽
插入损耗
C
S
（关闭）
C
D
（关闭）
C
D
（开） ，C
S
（上）
2.0
0.8
0.002
±0.1
5
170
235
173
230
124
160
55
200
78
58
0.009
102
0.7
18
62
83
V分钟
V最大
μA （典型值）
μA（最大值）
pF的典型值
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最小值）
pC的典型值
dB典型值
dB典型值
％ （典型值）
兆赫（典型值）
dB典型值
pF的典型值
pF的典型值
pF的典型值
25°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 125°C
V
DD
到V
SS
9.8
11
0.35
0.7
1.2
1.6
±0.05
±0.25
±0.1
±0.4
±0.1
±0.4
单位
V
= （典型值）
=最大
= （典型值）
=最大
= （典型值）
=最大
nA的典型值
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
测试条件/评论
14
16
V
S
= -10 V，I
S
= -10毫安;参见图25
V
DD
= +13.5 V, V
SS
= 13.5 V
V
S
= ±10 V，I
S
= -10毫安
0.9
2
1.1
2.2
V
S
= -10 V，I
S
= -10毫安
V
DD
= +16.5 V, V
SS
= 16.5 V
V
S
= ±10 V, V
D
=
m
10 V ;参见图28
V
S
= ±10 V, V
D
=
m
10 V ;参见图28
V
S
= V
D
= ± 10 V ;参见图24
±0.75
±2
±2
±3.5
±12
±12
V
IN
= V
GND
或V
DD
285
280
193
316
351
218
18
R
L
= 300 Ω, C
L
= 35 pF的
V
S
= 10 V ;参见图31
R
L
= 300 Ω, C
L
= 35 pF的
V
S
= 10 V ;见图33
R
L
= 300 Ω, C
L
= 35 pF的
V
S
= 10 V ;见图33
R
L
= 300 Ω, C
L
= 35 pF的
V
S1
= V
S2
= 10 V ;参见图32
V
S
= 0 V ，R
S
= 0 Ω, C
L
= 1 nF的;
见图34
R
L
= 50 Ω, C
L
= 5 PF， F = 1MHz的;
参见图27
R
L
= 50 Ω, C
L
= 5 PF， F = 1MHz的;
见图26
R
L
= 1千欧， 15 V P-P中，f = 20 Hz至20 kHz ;
见图29
R
L
= 50 Ω, C
L
= 5 pF的;参见图30
R
L
= 50 Ω, C
L
= 5 PF， F = 1MHz的;
见图30
V
S
= 0 V ， F = 1兆赫
V
S
= 0 V ， F = 1兆赫
V
S
= 0 V ， F = 1兆赫
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