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ADG5436
参数
插入损耗
C
S
（关闭）
C
D
（关闭）
C
D
（开） ，C
S
（上）
电源要求
I
DD
I
SS
V
DD
/V
SS
1
25°C
0.6
18
63
82
50
70
0.001
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 125°C
单位
dB典型值
pF的典型值
pF的典型值
pF的典型值
μA （典型值）
μA（最大值）
μA （典型值）
V MIN / V最大
测试条件/评论
R
L
= 50 Ω, C
L
= 5 PF， F = 1MHz的;
见图30
V
S
= 0 V ， F = 1兆赫
V
S
= 0 V ， F = 1兆赫
V
S
= 0 V ， F = 1兆赫
V
DD
= +22 V, V
SS
= 22 V
数字输入= 0 V或V
DD
数字输入= 0 V或V
DD
GND = 0 V
110
±9/±22
通过设计保证;不受生产测试。
12 V单电源供电
V
DD
= 12 V ± 10%, V
SS
= 0V ，GND = 0V ，除非另有说明。
表3中。
参数
模拟开关
模拟信号范围
导通电阻，R
ON
25°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 125°C
0 V至V
DD
19
22
0.4
0.8
4.4
5.5
±0.05
±0.25
±0.1
±0.4
±0.1
±0.4
±0.75
±3.5
27
31
单位
V
= （典型值）
=最大
= （典型值）
=最大
= （典型值）
=最大
nA的典型值
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
V分钟
V最大
μA （典型值）
μA（最大值）
pF的典型值
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最小值）
pC的典型值
测试条件/评论
导通电阻匹配
通道之间， ΔR
ON
导通电阻平坦度，R
平（ON）的
漏电流
源关闭泄漏，我
S
（关闭）
V
S
= 0 V至10 V，I
S
= -10毫安;看
图25
V
DD
= 10.8 V, V
SS
= 0 V
V
S
= 0 V至10 V，I
S
= -10毫安
1
6.5
1.2
7.5
V
S
= 0 V至10 V，I
S
= -10毫安
V
DD
= 13.2 V, V
SS
= 0 V
V
S
= 1 V/10 V, V
D
= 10 V/1 V;
见图28
V
S
= 1 V/10 V, V
D
= 10 V/1 V;
见图28
V
S
= V
D
= 1 V / 10 V ;参见图24
流掉泄漏，我
D
（关闭）
±2
±2
±12
±12
渠道渗漏，我
D
（上） ，我
S
（上）
数字输入
输入高电压，V
INH
输入低电压，V
INL
输入电流I
INL
还是我
INH
数字输入电容，C
IN
动态特性
1
过渡时间，t
过渡
t
ON
t
关闭
突破前先延时，T
D
电荷注入，Q
INJ
2.0
0.8
0.002
±0.1
5
250
346
250
358
135
178
125
80
第0版|第20页5
V
IN
= V
GND
或V
DD
437
445
212
501
512
237
50
R
L
= 300 Ω, C
L
= 35 pF的
V
S
= 8 V ;参见图31
R
L
= 300 Ω, C
L
= 35 pF的
V
S
= 8 V ;见图33
R
L
= 300 Ω, C
L
= 35 pF的
V
S
= 8 V ;见图33
R
L
= 300 Ω, C
L
= 35 pF的
V
S1
= V
S2
= 8 V ;参见图32
V
S
= 6 V ，R
S
= 0 Ω, C
L
= 1 nF的;看
图34
