【高电压闩锁防，双SPDT开关ADG5436特点闭锁证明8 kV的HBM ESD额定值低导通电阻（ &】,IC型号ADG5436BCPZ-REEL7,ADG5436BCPZ-REEL7 PDF资料,ADG5436BCPZ-REEL7经销商,ic,电子元器件-51电子网

高电压闩锁防，

双SPDT开关

ADG5436

特点

闭锁证明

8 kV的HBM ESD额定值

低导通电阻（ <10 Ω ）

± 9 V至± 22 V双电源供电

9 V至40 V单电源供电

48 V电源最大额定值

在± 15 V ，± 20 V ， 12 V和36 V

到V

模拟信号范围

功能方框图

ADG5436

S1A

S1B

IN1

IN2

S2A

S2B

应用

继电器更换

自动测试设备

数据采集

仪器仪表

航空电子学

音频和视频切换

通信系统

开关所对于逻辑1输入。

图1. TSSOP封装

ADG5436

S1A

S1B

S2A

S2B

逻辑

开关所对于逻辑1输入。

图2. LFCSP封装

概述

该ADG5436是包含两个单片CMOS器件

独立可选的单刀/单掷（ SPDT ）

开关。提供EN输入的LFCSP封装允许或

禁用该设备。禁用时，所有通道关闭。每

开关导电性能相同，在两个方向上时，和

具有延伸到所述电源的输入信号范围。在关

条件下，信号电平的电源被阻止。两

开关展品突破前先切换使用行动

多路复用器应用。

导通电阻曲线非常平坦，在整个模拟输入

范围，确保了出色的线性度和低失真的时候

切换音频信号。

产品亮点

1.沟道隔离可防止闩锁。电介质沟道

分离出的P和N沟道晶体管，从而防止

闭锁，即使在严重过压状况。

2.低R

3.双电源供电。对于应用中的模拟

信号为双极性时， ADG5436可以从双操作

提供高达±22 V

4.单电源供电。对于应用中的模拟

信号是单极性，则ADG5436可以从一个被操作

单轨电源高达40 V.

5.3 V逻辑兼容数字输入： V

INH

= 2.0 V, V

INL

= 0.8 V.

6.无V

逻辑电源要求。

第0版

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09204-002

IN1

IN2

09204-001

ADG5436

特点................................................. ............................................. 1

应用................................................. ...................................... 1

功能框图............................................... .............. 1

概述................................................ ......................... 1

产品亮点................................................ ........................... 1

修订历史................................................ ............................... 2

规格................................................. .................................... 3

± 15 V双电源............................................. .......................... 3

± 20 V双电源............................................. .......................... 4

12 V单电源.............................................. .......................... 5

36 V单电源.............................................. .......................... 6

每通道， SX或霉素............................. 7连续电流

绝对最大额定值............................................... ............. 8

ESD注意事项................................................ ................................... 8

引脚配置和功能描述............................ 9

真值表开关.............................................. ................ 9

典型性能特征........................................... 10

测试电路................................................ ..................................... 14

术语................................................. ................................... 16

沟槽隔离................................................ .............................. 17

应用信息................................................ .............. 18

外形尺寸................................................ ....................... 19

订购指南................................................ .......................... 19

修订历史

7月10日 - 修订版0 ：初始版

第0版|第20页2

ADG5436

特定网络阳离子

± 15 V双电源供电

= +15 V ± 10%, V

=发-15V ± 10％，GND = 0V ，除非另有说明。

表1中。

参数

模拟开关

模拟信号范围

导通电阻，R

导通电阻匹配

通道之间， ΔR

导通电阻平坦度，R

平（ON）的

漏电流

源关闭泄漏，我

（关闭）

流掉泄漏，我

（关闭）

渠道渗漏，我

（上），我

（上）

数字输入

输入高电压，V

INH

输入低电压，V

INL

输入电流I

INL

还是我

INH

数字输入电容，C

动态特性

过渡时间，t

过渡

关闭

突破前先延时，T

电荷注入，Q

INJ

关断隔离

通道到通道的串扰

总谐波失真+噪声

-3 dB带宽

插入损耗

（关闭）

（开），C

（上）

2.0

0.8

0.002

±0.1

170

235

173

230

124

160

200

0.009

102

0.7

V分钟

V最大

μA （典型值）

μA（最大值）

pF的典型值

纳秒（典型值）

ns（最大值）

纳秒（典型值）

ns（最大值）

纳秒（典型值）

ns（最大值）

纳秒（典型值）

ns（最小值）

pC的典型值

dB典型值

％（典型值）

兆赫（典型值）

dB典型值

pF的典型值

25°C

-40 ° C至+ 85°C

-40 ° C至+ 125°C

到V

9.8

0.35

0.7

1.2

1.6

±0.05

±0.25

±0.1

±0.4

±0.1

±0.4

单位

= （典型值）

=最大

= （典型值）

=最大

= （典型值）

=最大

nA的典型值

nA的最大

nA的典型值

nA的最大

nA的典型值

nA的最大

测试条件/评论

= -10 V，I

= -10毫安;参见图25

= +13.5 V, V

= 13.5 V

= ±10 V，I

= -10毫安

0.9

1.1

2.2

= -10 V，I

= -10毫安

= +16.5 V, V

= 16.5 V

= ±10 V, V

10 V ;参见图28

= ±10 V, V

10 V ;参见图28

= V

= ± 10 V ;参见图24

±0.75

±2

±3.5

±12

= V

GND

或V

285

280

193

316

351

218

= 300 Ω, C

= 35 pF的

= 10 V ;参见图31

= 300 Ω, C

= 35 pF的

= 10 V ;见图33

= 300 Ω, C

= 35 pF的

= 10 V ;见图33

= 300 Ω, C

= 35 pF的

= V

= 10 V ;参见图32

= 0 V ，R

= 0 Ω, C

= 1 nF的;

见图34

= 50 Ω, C

= 5 PF， F = 1MHz的;

参见图27

= 50 Ω, C

= 5 PF， F = 1MHz的;

见图26

= 1千欧， 15 V P-P中，f = 20 Hz至20 kHz ;

见图29

= 50 Ω, C

= 5 pF的;参见图30

= 50 Ω, C

= 5 PF， F = 1MHz的;

见图30

= 0 V ， F = 1兆赫

第0版|第20页3

ADG5436

参数

电源要求

25°C

0.001

-40 ° C至+ 85°C

-40 ° C至+ 125°C

单位

μA （典型值）

μA（最大值）

μA （典型值）

μA（最大值）

V MIN / V最大

测试条件/评论

= +16.5 V, V

= 16.5 V

数字输入= 0 V或V

GND = 0 V

±9/±22

通过设计保证;不受生产测试。

± 20 V双电源供电

= +20 V ± 10%, V

= -20 V ± 10％，GND = 0V ，除非另有说明。

表2中。

参数

模拟开关

模拟信号范围

导通电阻，R

导通电阻匹配

通道之间， ΔR

导通电阻平坦度，R

平（ON）的

漏电流

源关闭泄漏，我

（关闭）

流掉泄漏，我

（关闭）

渠道渗漏，我

（上），我

（上）

数字输入

输入高电压，V

INH

输入低电压，V

INL

输入电流I

INL

还是我

INH

数字输入电容，C

动态特性

过渡时间，t

过渡

关闭

突破前先延时，T

电荷注入，Q

INJ

关断隔离

通道到通道的串扰

总谐波失真+噪声

-3 dB带宽

25°C

-40 ° C至+ 85°C

-40 ° C至+ 125°C

到V

0.35

0.7

1.5

1.8

±0.05

±0.25

±0.1

±0.4

±0.1

±0.4

单位

= （典型值）

=最大

= （典型值）

=最大

= （典型值）

=最大

nA的典型值

nA的最大

nA的典型值

nA的最大

nA的典型值

nA的最大

V分钟

V最大

μA （典型值）

μA（最大值）

pF的典型值

纳秒（典型值）

ns（最大值）

纳秒（典型值）

ns（最大值）

纳秒（典型值）

ns（最大值）

纳秒（典型值）

ns（最小值）

pC的典型值

dB典型值

％（典型值）

兆赫（典型值）

测试条件/评论

= -15 V，I

= -10毫安;参见图25

= +18 V, V

= 18 V

= ±15 V，I

= -10毫安

0.9

2.2

1.1

2.5

= -15 V，I

= -10毫安

= +22 V, V

= 22 V

= ±15 V, V

15 V ;参见图28

= ±15 V, V

15 V ;参见图28

= V

= ±15 V ;参见图24

±0.75

±2

±3.5

±12

2.0

0.8

0.002

±0.1

158

217

164

213

110

152

250

0.007

100

第0版|第20页4

= V

GND

或V

260

256

173

293

287

194

= 300 Ω, C

= 35 pF的

= 10 V ;参见图31

= 300 Ω, C

= 35 pF的

= 10 V ;见图33

= 300 Ω, C

= 35 pF的

= 10 V ;见图33

= 300 Ω, C

= 35 pF的

= V

= 10 V ;参见图32

= 0 V ，R

= 0 Ω, C

= 1 nF的;看

图34

= 50 Ω, C

= 5 PF， F = 1MHz的;

参见图27

= 50 Ω, C

= 5 PF， F = 1MHz的;

见图26

= 1千欧， 20 V P-P中，f = 20 Hz至20 kHz ;

见图29

= 50 Ω, C

= 5 pF的;参见图30

ADG5436

参数

插入损耗

（关闭）

（开），C

（上）

电源要求

25°C

0.6

0.001

-40 ° C至+ 85°C

-40 ° C至+ 125°C

单位

dB典型值

pF的典型值

μA （典型值）

μA（最大值）

μA （典型值）

V MIN / V最大

测试条件/评论

= 50 Ω, C

= 5 PF， F = 1MHz的;

见图30

= 0 V ， F = 1兆赫

= +22 V, V

= 22 V

数字输入= 0 V或V

GND = 0 V

110

±9/±22

通过设计保证;不受生产测试。

12 V单电源供电

= 12 V ± 10%, V

= 0V ，GND = 0V ，除非另有说明。

表3中。

参数

模拟开关

模拟信号范围

导通电阻，R

25°C

-40 ° C至+ 85°C

-40 ° C至+ 125°C

0 V至V

0.4

0.8

4.4

5.5

±0.05

±0.25

±0.1

±0.4

±0.1

±0.4

±0.75

±3.5

单位

= （典型值）

=最大

= （典型值）

=最大

= （典型值）

=最大

nA的典型值

nA的最大

nA的典型值

nA的最大

nA的典型值

nA的最大

V分钟

V最大

μA （典型值）

μA（最大值）

pF的典型值

纳秒（典型值）

ns（最大值）

纳秒（典型值）

ns（最大值）

纳秒（典型值）

ns（最大值）

纳秒（典型值）

ns（最小值）

pC的典型值

测试条件/评论

导通电阻匹配

通道之间， ΔR

导通电阻平坦度，R

平（ON）的

漏电流

源关闭泄漏，我

（关闭）

= 0 V至10 V，I

= -10毫安;看

图25

= 10.8 V, V

= 0 V

= 0 V至10 V，I

= -10毫安

6.5

1.2

7.5

= 0 V至10 V，I

= -10毫安

= 13.2 V, V

= 0 V

= 1 V/10 V, V

= 10 V/1 V;

见图28

= 1 V/10 V, V

= 10 V/1 V;

见图28

= V

= 1 V / 10 V ;参见图24

流掉泄漏，我

（关闭）

±2

±12

渠道渗漏，我

（上），我

（上）

数字输入

输入高电压，V

INH

输入低电压，V

INL

输入电流I

INL

还是我

INH

数字输入电容，C

动态特性

过渡时间，t

过渡

关闭

突破前先延时，T

电荷注入，Q

INJ

2.0

0.8

0.002

±0.1

250

346

250

358

135

178

125

第0版|第20页5

= V

GND

或V

437

445

212

501

512

237

= 300 Ω, C

= 35 pF的

= 8 V ;参见图31

= 300 Ω, C

= 35 pF的

= 8 V ;见图33

= 300 Ω, C

= 35 pF的

= 8 V ;见图33

= 300 Ω, C

= 35 pF的

= V

= 8 V ;参见图32

= 6 V ，R

= 0 Ω, C

= 1 nF的;看

图34