补充证明文件
热增编（ REV 1.0 ）
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热增编（ REV 1.0 ）
介绍
作为一个补充MM908E626这种热附录IA
技术数据表。增编提供的热性能信息
这可以是系统应用程序的设计和开发的关键。所有
电器，应用程序和包装信息在数据表提供。
封装和散热考虑
这MM908E626是双管芯封装。有两个热源的
独立包装带P加热
1
和P
2
。这导致两个结
温度，T
J1
和T
J2
和热电阻矩阵，其中R
θ
JA
mn
.
为
M，N
= 1, R
θ
JA11
是从连接点1的热阻与参考
气温虽然只有热源1加热与P
1
.
为
m
= 1,
n
= 2, R
θ
JA12
是热敏电阻从结1至
而热源2加热P基准温度
2
。这适用于
R
θ
J21
和R
θ
J22
上。
T
J1
T
J2
=
908E626
54-TERMINAL
SOICW -EP
DWB后缀
98ARL105910
54端SOICW -EP
记
对于封装尺寸，请参阅
908E626器件的数据手册。
R
θ
JA11
R
θ
JA12
R
θ
JA21
R
θ
JA22
.
P
1
P
2
以上数值仅是一个的热性能比较
打包到另外一个标准化的环境。这种方法并不意味着，不会预测的性能
包中的应用程序特定的环境中。表示值是通过测量和模拟根据所获得的
下面列出的标准。
标准
表9.热性能比较
热
阻力
R
θ
JAMn
(1)(2)
R
θ
JBmn
(2)(3)
1 =电源芯片， 2 =逻辑芯片
[℃ / W]
m
= 1,
n
=1
23
9.0
52
1.0
m
= 1,
n
= 2
m
= 2,
n
= 1
20
6.0
47
0
m
= 2,
n
=2
24
10
52
2.0
1.0
1.0
0.2
0.2
*所有的测量
以毫米为单位
Soldermast
开口
散热孔
连接顶部
埋地平面
R
θ
JAMn
(1)(4)
R
θJCmn
(5)
注意事项：
1.根据JEDEC JESD51-2在自然对流，静止的空气中
条件。
根据JEDEC JESD51-7and 2. 2S2P热测试板
JESD51-5.
3.根据JEDEC JESD51-8 ，与在电路板温度
附近的功率输出中心跟踪。
根据JEDEC JESD51-3和4单层热测试板
JESD51-5.
管芯结和5之间的热阻
裸露焊盘， “无限”的散热片连接到裸露焊盘。
54端子SOIC- EP
间距为0.65mm
17.9毫米×7.5cm的mm主体
10.3毫米X 5.1毫米裸露焊盘
图19.热盘图形的直热
附件根据JEDEC JESD51-5Thermal测试板
908E626
模拟集成电路设备数据
飞思卡尔半导体公司
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