典型应用
工厂调整和校准
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VDD
NC
VREFH
VDDA
EVDD
EVSS
VSSA
VREFL
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
43
42
41
VSS
40
39
38
37
36
LIN
NC
NC
VSUP1
GND1
VSUP2
NC
VSUP3
GND2
35
34
33
32
31
30
29
28
908E626
C3
C4
C5
LIN
L1
V1
20
21
22
23
24
25
26
27
GND
C1
C2
VBAT
图18. PCB布局建议
.
表8.元件值推荐
部件
C1
C2
C3
推荐值
(1)
大容量电容器
100nF的，贴片陶瓷电容，低ESR
100nF的，贴片陶瓷电容，低ESR
关闭（ <5毫米）到VSUP1 ，具有良好的接地回路VSUP2端
关闭（ <3毫米）数字电源端子（ EVDD ， EVSS ）具有良好的
接地回路。
正模（ VREFH ， VDDA ）和数字（ EVDD ）供应
应该就在C3连接。
C4
C5
4,7uF ，贴片陶瓷电容，低ESR
为180pF ，贴片陶瓷电容，低ESR
大容量电容器
关闭（ <5毫米）到LIN终端。
上的LIN总电容必须低于220PF 。
(C
总
= C
LIN-终端
+ C5 + C
压敏电阻
10pF的+ +为180pF为15pF ）
V1
(2)
L1
(2)
压敏电阻型TDK AVR- M1608C270MBAAB
贴片式铁氧体磁珠类型TDK MMZ2012Y202B
可选（接近LIN连接器）
可选的， （接近LIN连接器）
评论/信号路由
笔记
1.飞思卡尔不承担赔偿责任，认可，或者想从外部元件制造，其在电路图纸引用
或表。同时，飞思卡尔提供了这个配置组件的建议，这是客户的责任，以验证其
应用程序。
2.组件建议，以改善EMC和ESD性能。
908E626
模拟集成电路设备数据
飞思卡尔半导体公司
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