SSW/I5N80A
BV
DSS
（归一化）
漏源击穿电压
N沟道
功率MOSFET
图8.导通电阻与温度的关系
R
DS （ ON）
（归一化）
漏源导通电阻
3.0
图7.击穿电压与温度的关系
1.2
2.5
1.1
2.0
1.0
1.5
1.0
@注意事项：
1. V = 10 V
GS
2. I = 2.5 A
D
0.0
-75
0.9
@注意事项：
1. V = 0 V
GS
2. I = 250
A
D
0.5
0.8
-75
-50
-25
0
25
50
75
100
o
125
150
175
-50
-25
0
25
50
75
100
o
125
150
175
T
J
，结温[C]
T
J
，结温[C]
图9.最大。安全工作区
[A]
2
10
图10.最大。漏电流与外壳温度
6
在这一领域
由R有限公司
DS （ ON）
10
s
100
s
1毫秒
10毫秒
DC
I
D
，漏电流
1
10
I
D
，漏电流
[A]
4
2
3
10
0
10
10
-1
@注意事项：
1. T = 25
o
C
C
2. T = 150
o
C
J
3.单脉冲
10
-2
10
1
10
2
0
25
50
75
100
125
150
V
DS
，漏源电压[V]
T
c
，外壳温度[
o
C]
图11.热响应
热响应
10
0
D=0.5
@注意事项：
1. Z
θ
J·C
(t)=0.89
o
C / W
马克斯。
0.2
10
- 1
0.1
0.05
0.02
0.01
单脉冲
2.占空比， D = T / T
2
1
3. T
J·M
-T
C
=P
D M
*Z
θ
J·C
(t)
Z
JC
(t) ,
P
DM
t
1
t
2
θ
10
- 2
10
- 5
10
- 4
10
- 3
10
- 2
10
- 1
10
0
10
1
t
1
，方波脉冲持续时间
[秒]
