N沟道
功率MOSFET
看图1，输出特性
[A]
10
1
上图：
15V
10 V
8.0 V
7.0 V
6.0 V
5.5 V
5.0 V
底部： 4.5 V
SSW/I5N80A
如图2传输特性
[A]
I
D
，漏电流
10
1
V
GS
I
D
，漏电流
10
0
10
0
150
o
C
25
o
C
10
-1
@注意事项：
1. 250
s脉冲测试
2. T = 25
o
C
C
10
0
10
1
- 55
o
C
10
-1
@注意事项：
1. V = 0 V
GS
2. V = 50 V
DS
3. 250
s脉冲测试
6
8
10
10
-1
2
4
V
DS
，漏源电压[V]
[A]
V
GS
，栅源电压[V]
图3.导通电阻与漏电流
R
DS （ ON）
, [ ]
漏源导通电阻
8
图4.源极 - 漏极二极管正向电压
1
1
0
6
V
GS
= 10 V
4
I
DR
，反向漏电流
1
0
0
V
GS
= 20 V
2
@ N吨：T已
J
= 25
o
C
oe
0
0
4
8
12
16
2
0
1 0
o
C
5
2
o
C
5
1
-1
0
02
.
04
.
06
.
@Nts ：
oe
1 V
GS
= 0 V
.
美国东部
2 2 0
S·P升（E T） s
. 5
08
.
10
.
12
.
I
D
，漏电流[ A]
V
SD
，源极 - 漏极电压[ V]
图5.电容与漏源电压
1600
C
国际空间站
1200
C
国际空间站
= C
gs
+ C
gd
( C
ds
=短路）
C
OSS
= C
ds
+ C
gd
C
RSS
= C
gd
图6.栅极电荷与栅源电压
[V]
[ pF的]
1
0
6
V
DS
= 1 0 V
0
V =40V
DS
V
DS
= 6 0 V
4
800
V
GS
，栅源电压
电容
5
C
OSS
400
C
RSS
@注意事项：
1. V
GS
= 0 V
2， F = 1M的
H
@ N吨S：我
D
= 5 0 A
oe
.
0
0
1
0
2
0
3
0
4
0
5
0
6
0
0
0
10
10
1
V
DS
，漏源电压[V]
Q
G
，总栅极电荷[ NC ]
