先进的功率MOSFET
特点
雪崩坚固的技术
坚固的门栅氧化层技术
较低的输入电容
改进的栅极电荷
扩展安全工作区
低漏电流： 25
A
（最大值） @ V
DS
= 800V
低R
DS （ ON）
: 1.824
（典型值）。
SSW/I5N80A
BV
DSS
= 800 V
R
DS （ ON）
= 2.2
I
D
= 5 A
D
2
-PAK
2
I
2
-PAK
1
1
3
2
3
绝对最大额定值
符号
V
DSS
I
D
I
DM
V
GS
E
AS
I
AR
E
AR
dv / dt的
P
D
T
J
, T
英镑
T
L
特征
漏极至源极电压
连续漏电流（T
C
=25
C
)
连续漏电流（T
C
=100
C
)
漏电流脉冲
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
重复性雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
总功率耗散（T
C
=25
C
)
线性降额因子
工作结
存储温度范围
最大的铅温度。焊锡
目的， 1/8“案件从5秒
Ο
Ο
Ο
1.门2.排水3.源
价值
800
5
3.2
1
O
2
O
1
O
1
O
3
O
单位
V
A
A
V
mJ
A
mJ
V / ns的
W
W/
C
Ο
20
+ 30
_
333
5
14
2.0
3.1
140
1.12
- 55 + 150
300
Ο
C
热阻
符号
R
θ
JC
R
θ
JA
R
θ
JA
特征
结到外壳
结到环境*
结到环境
典型值。
--
--
--
马克斯。
0.89
40
62.5
Ο
单位
C
/W
*
当安装在推荐的最小焊盘尺寸（ PCB安装） 。
版本B
1999仙童半导体公司
