16兆位多用途闪存+
微芯片技术公司
SST39VF1681 / SST39VF1682
数据表
时序波形和图24的流程图。在扇区或块中发出的任何命令
擦除操作将被忽略。当WP＃为低电平时，任何企图以部门（块擦除）擦除受保护
块将被忽略。在命令序列期间， WP ＃应静态地保持高或低。
擦除暂停/擦除恢复命令
在擦除暂停操作会暂时挂起一个部门或块擦除操作从而使
数据从一个存储位置，或程序数据转换成任何扇区/块未被暂停读
对于擦除操作。该操作通过发出一个字节的命令序列，以使用擦除执行
暂停命令（ B0H ） 。设备会自动通常在后20微秒进入读取模式
擦除暂停命令已发出。有效数据可从没有任何部门或块被读
暂停擦除操作。擦除暂停扇区内读取地址位置/
块将输出DQ
2
触发和DQ
6
在“1” 。而在擦除暂停模式下，一个字节编程操作
化允许，除了选择擦除暂停操作的扇区或块。
要恢复已暂停的系统必须发出擦除扇区擦除或块擦除操作
恢复命令。该操作通过发出一个字节的命令序列，以擦除恢复的COM执行
命令（ 30H）在最后一个字节序列的任何地址。
芯片擦除操作
该SST39VF168x提供一个片擦除操作，其允许用户将擦除整个存储器阵列，以
的“1”状态。这是有用的，当整个装置必须迅速删除。
通过执行一个6字节的命令序列芯片擦除命令启动芯片擦除操作
（10H） ，在地址AAAH中的最后一个字节序列。擦除操作开始与第六的上升沿
WE＃或CE ＃ ，以先到为准。在擦除操作，唯一有效的阅读是翻转位或数据＃ Poll-
ING 。参见表6中的指令序列，图10为时序图，图24为流程图。
全片擦除操作期间发出的任何命令都会被忽略。当WP＃为低电平时，任何企图削片
擦除将被忽略。在命令序列期间， WP ＃应静态地保持高或低。
写操作状态检测
该SST39VF168x提供了两种软件方法来检测完成写的（或计划
擦除）循环中，为了优化系统写周期时间。该软件的检测包括两个台站
状态位：数据＃查询（ DQ
7
），并触发位（ DQ
6
） 。写操作结束检测模式启用后，
的WE＃上升沿，启动内部编程或擦除操作。
非易失性写操作的实际完成是与系统异步的;因此，无论是数据＃
查询或翻转位的读可以同时与写周期完成的。如果发生这种情况，系
TEM可能得到错误的结果，即有效数据可能会与DQ发生冲突
7
或者DQ
6
。在
命令，以防止杂散抑制，如果一个错误的结果发生时，软件程序应包括一个环
以读取访问单元2 （2）倍。如果两个读数是有效的，则该装置具有的COM
pleted写周期，否则拒绝是有效的。
数据＃投票（ DQ
7
)
当SST39VF168x在内部编程操作，任何尝试读取DQ
7
将产生的
配合真实的数据。一旦程序操作完成后， DQ
7
将产生真正的数据。注意
即使DQ
7
可有有效数据立即完成内部写操作之后，该
剩余的数据输出仍然可能是无效的：有效数据的全部数据总线上会出现在后续的演替
1微秒的时间间隔后西伯读周期。在内部擦除操作，任何尝试读取DQ
7
将亲
2011硅存储技术公司
DS25040A
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