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16兆位多用途闪存+
微芯片技术公司
SST39VF1681 / SST39VF1682
数据表
产品说明
该SST39VF168x设备2M ×8 CMOS多用途闪存+ （ MPF + ）与SST的制造
专有的高性能CMOS SuperFlash技术。分裂栅单元设计和厚氧化层
隧穿注入器可实现更高的可靠性和可制造性与其他方法相比。该
SST39VF168x写（编程或擦除）用2.73.6V电源。这些器件符合JEDEC
标准引脚为x8的回忆。
拥有高性能的字节编程时， SST39VF168x设备提供了一个典型的字节编程
7微秒的时间。这些器件使用翻转位或数据＃投票指示完成计划
操作。为了防止意外写操作，他们有片上硬件和软件数据保护
化方案。设计，制造和测试了广泛的应用，这些设备的频谱
提供10万个周期有保证的典型的耐力。数据保留的额定功率为更大
超过100年。
该SST39VF168x设备适合于需要方便和经济updat-应用
荷兰国际集团计划，配置或数据存储器。对于所有的系统应用程序，它们显著改善
的性能和可靠性，同时降低了功耗。他们在本质上使用更少的能源
比其他闪存技术，擦除和编程。所消耗的总能量是一个函数
施加的电压，电流和应用的时间。因为对于任何给定的电压范围内，则超快闪
技术使用的编程电流更低，并具有擦除时间更短，总的能量消耗能很好地协同
荷兰国际集团的任何擦除或编程操作低于其他闪存技术。这些器件还
改进的灵活性，同时降低了成本，程序，数据和配置存储应用。
SuperFlash技术提供固定的擦除和编程时间，独立的数
删除/已发生的项目周期。因此，系统软件或硬件不
要修改或降额，这一点不同于其他闪存技术，其擦除和亲
克次上调，累计擦除/编程周期。
为了满足高密度，表面贴装的要求， SST39VF168x提供两个48球TFBGA
和48引脚TSOP封装。参见图2和图3的引脚分配。
2011硅存储技术公司
DS25040A
05/11
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