FZT660/FZT660A
PNP低饱和晶体管
（续）
电气特性
符号
参数
T
A = 25 ° C除非另有说明
测试条件
民
最大
单位
开关特性
BV
首席执行官
BV
CBO
BV
EBO
I
CBO
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 基极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
I
C
= 10毫安
I
C
= 100
A
I
E
= 100
A
V
CB
= 30 V
V
CB
= 30 V ，T
A
=100°C
I
EBO
发射Cuto FF电流
V
EB
= 4V
60
80
5
100
10
100
V
V
V
nA
uA
nA
基本特征*
h
FE
直流电流增益
I
C
= 100毫安， V
CE
= 2 V
I
C
= 500毫安， V
CE
= 2 V
FZT660
FZT660A
I
C
= 1 A，V
CE
= 2 V
I
C
= 3 A，V
CE
= 2 V
V
CE （ SAT ）
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 1 A，I
B
= 100毫安
I
C
= 3 A，I
B
= 300毫安
V
BE （ SAT ）
V
BE（上）
基射极饱和电压
基射极电压上
I
C
= 1 A，I
B
= 100毫安
I
C
= 1 A，V
CE
= 2 V
FZT660
FZT660A
70
100
250
80
25
300
550
500
1.25
1
V
V
mV
300
550
-
小信号特性
C
敖包
f
T
输出电容
跃迁频率
V
CB
= 10 V，I
E
= 0中，f = 1MHz的
I
C
= 100毫安， V
CE
= 5 V ， F = 100MHz的
75
45
pF
-
*脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
s,
占空比
≤
2.0%
第2页2
fzt660.lwpPrPA 98年7月10日REVC
