FZT560/FZT560A
分立功率&信号
技术
1998年7月
FZT560 / FZT560A
C
E
B
C
SOT-223
NPN低饱和晶体管
这些器件的设计具有高电流增益，低饱和电压与集电极电流高达3A
连续的。
绝对最大额定值*
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
T
J,
T
英镑
参数
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
T
A = 25 ° C除非另有说明
FZT560/FZT560A
60
80
5
3
-55到+150
单位
V
V
V
A
°C
工作和存储结温范围
*这些额定值的限制值高于其中任何半导体器件的适用性可能受到损害。
注意事项：
1 ）这些评级是基于150 ° C的最高结温。
2 ）这些都是稳定状态的限制。厂方应征询涉及脉冲或低占空比操作的应用程序。
热特性
符号
T
A = 25 ° C除非另有说明
最大
特征
FZT560/FZT560A
P
D
R
θJA
器件总功耗
热阻，结到环境
2
62.5
W
° C / W
单位
1998年仙童半导体公司
第1页2
fzt560.lwpPrNA 98年7月10日REVC
FZT560/FZT560A
NPN低饱和晶体管
（续）
电气特性
符号
参数
T
A = 25 ° C除非另有说明
测试条件
民
最大
单位
开关特性
BV
首席执行官
BV
CBO
BV
EBO
I
CBO
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 基极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
I
C
= 10毫安
I
C
= 100
A
I
E
= 100
A
V
CB
= 30 V
V
CB
= 30 V ，T
A
=100°C
I
EBO
发射Cuto FF电流
V
EB
= 4V
60
80
5
100
10
100
V
V
V
nA
uA
nA
基本特征*
h
FE
直流电流增益
I
C
= 100毫安， V
CE
= 2 V
I
C
= 500毫安， V
CE
= 2 V
FZT560
FZT560A
I
C
= 1 A，V
CE
= 2 V
I
C
= 3 A，V
CE
= 2 V
V
CE （ SAT ）
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 1 A，I
B
= 100毫安
I
C
= 3 A，I
B
= 300毫安
V
BE （ SAT ）
V
BE（上）
基射极饱和电压
基射极电压上
I
C
= 1 A，I
B
= 100毫安
I
C
= 1 A，V
CE
= 2 V
FZT560
FZT560A
70
100
250
80
25
300
450
400
1.25
1
V
V
mV
300
550
-
小信号特性
C
敖包
f
T
输出电容
跃迁频率
V
CB
= 10 V，I
E
= 0中，f = 1MHz的
I
C
= 100毫安， V
CE
= 5 V ， F = 100MHz的
75
30
pF
-
*脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
s,
占空比
≤
2.0%
1998年仙童半导体公司
第2页2
fzt560.lwpPrNA 98年7月10日REVC
FZT649
分立功率&信号
技术
1998年7月
FZT649
C
E
B
C
SOT-223
NPN低饱和晶体管
这些器件的设计具有高电流增益，低饱和电压与集电极电流高达3A
连续的。
绝对最大额定值*
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
T
J,
T
英镑
参数
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
T
A = 25 ° C除非另有说明
FZT649
25
35
5
3
-55到+150
单位
V
V
V
A
°C
工作和存储结温范围
*这些额定值的限制值高于其中任何半导体器件的适用性可能受到损害。
注意事项：
1 ）这些评级是基于150 ° C的最高结温。
2 ）这些都是稳定状态的限制。厂方应征询涉及脉冲或低占空比操作的应用程序。
热特性
符号
T
A = 25 ° C除非另有说明
最大
特征
FZT649
P
D
R
θJA
器件总功耗
热阻，结到环境
2
62.5
W
° C / W
单位
1998年仙童半导体公司
第1页2
fzt649.lwpPrNC 98年7月10日revB
FZT649
NPN低饱和晶体管
（续）
电气特性
符号
参数
T
A = 25 ° C除非另有说明
测试条件
民
最大
单位
开关特性
BV
首席执行官
BV
CBO
BV
EBO
I
CBO
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 基极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
I
C
= 10毫安
I
C
= 100
A
I
E
= 100
A
V
CB
= 30 V
V
CB
= 30 V ，T
A
=100°C
I
EBO
发射Cuto FF电流
V
EB
= 4V
25
35
5
100
10
100
V
V
V
nA
uA
nA
基本特征*
h
FE
直流电流增益
I
C
= 50 mA时， V
CE
= 2 V
I
C
= 1 A，V
CE
= 2 V
I
C
= 2 A，V
CE
= 2 V
I
C
= 6 A，V
CE
= 2 V
V
CE （ SAT ）
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 1 A，I
B
= 100毫安
I
C
= 3 A，I
B
= 300毫安
V
BE （ SAT ）
V
BE（上）
基射极饱和电压
基射极电压上
I
C
= 1 A，I
B
= 100毫安
I
C
= 1 A，V
CE
= 2 V
70
100
75
15
300
600
1.25
1
V
V
mV
300
-
小信号特性
C
敖包
f
T
输出电容
跃迁频率
V
CB
= 10 V，I
E
= 0中，f = 1MHz的
I
C
= 100毫安， V
CE
= 5 V ， F = 100MHz的
150
50
pF
-
*脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
s,
占空比
≤
2.0%
1998年仙童半导体公司
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fzt649.lwpPrNC 98年7月10日revB
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