FZT649
分立功率&信号
技术
1998年7月
FZT649
C
E
B
C
SOT-223
NPN低饱和晶体管
这些器件的设计具有高电流增益，低饱和电压与集电极电流高达3A
连续的。
绝对最大额定值*
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
T
J,
T
英镑
参数
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
T
A = 25 ° C除非另有说明
FZT649
25
35
5
3
-55到+150
单位
V
V
V
A
°C
工作和存储结温范围
*这些额定值的限制值高于其中任何半导体器件的适用性可能受到损害。
注意事项：
1 ）这些评级是基于150 ° C的最高结温。
2 ）这些都是稳定状态的限制。厂方应征询涉及脉冲或低占空比操作的应用程序。
热特性
符号
T
A = 25 ° C除非另有说明
最大
特征
FZT649
P
D
R
θJA
器件总功耗
热阻，结到环境
2
62.5
W
° C / W
单位
1998年仙童半导体公司
第1页2
fzt649.lwpPrNC 98年7月10日revB
