TPS92210
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SLUS989A - 2010年1月 - 修订2010年12月
详细说明
BIAS和启动
该TPS92210控制接通和关断通过其源极的回扫用开关的使用共源共栅
配置。共源共栅结构也可以用来提供在启动期间的初始偏置。共源共栅
结构利用一个低电压开关，其漏极，即DRN销，连接到的源
高电压MOSFET （HV MOSFET） 。高压MOSFET的栅极使用的是保持在一个恒定的DC电压
VCG引脚。该TPS92210共源共栅基于HVMOSFET驱动体系结构示于
图18 。
体积
主
曲折
外
HIGH- VOLTAGE
MOSFET
体积
主
曲折
外
HIGH- VOLTAGE
MOSFET
+
级联
MOSFET
对
国内
低电压
MOSFET
ON
栅极偏置+
14 V
DC
PWM
控制
PWM
控制
国内
低电压
MOSFET
关闭
UDG-09185
图18.级联架构
启动偏置使用低级别泄放电流从交流线或经整流和滤波的AC线
通过启动电阻（R
SU
） 。泄放电流断了线（约6 μA ），收取少量的VCG
电容器，并提出在HVMOSFET栅极的电压。该HVMOSFET充当源极跟随器，一旦
电压VCG脚到达HVMOSFET的阈值电压，并提高了DRN引脚电压。中
启动该TPS92210是欠压锁定（ UVLO）状态，使能脉冲宽度调制（ PWM ）
信号低。这将在VDD交换机之间的DRN引脚和VDD引脚连接上，从而使V
VDD
上涨也与V
VCG
减去HVMOSFET的阈值电压。 DRN之间一个外部肖特基二极管
VDD被用于从流经内部的体二极管转向远离潜在的高开关电流
VDD开关。启动电流和共源共栅的架构的工作电流通路示于
图19 。
该VCG引脚分路调节在14 V正常运行过程中的调控水平提高
到16 V时的故障，欠压锁定和启动条件。
2010 ，德州仪器
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