TPS92210
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SLUS989A - 2010年1月 - 修订2010年12月
典型特性（续）
除非另有说明： V
VDD
= 12 V, V
VCG
= 12 V, V
TZE
= 1 V, V
FB
= 0 V ， GND = 0 V ，一个0.1μF的电容VDD之间绑
和GND ，一个0.1 μF电容和VCG GND ，R之间的捆绑
的PCl
= 33.2 kΩ的，R
OTM
= 380千欧， -40°C <牛逼
A
< + 125°C ，T
J
= T
A
低电压MOSFET
DS （ ON）
vs
环境温度
160
12
高边
VDD开关
R
DS （ ON）
- 及时性 - 毫瓦
R
DS （ ON）
- 及时性 -
W
R
DS （ ON）
高压侧驱动器和VDD开关
vs
温度
120
10
100
8
80
6
60
4
40
2
20
-40 -25 -10
5
20
35
50
65
80
95 110 125
0
-40 -25 -10
5
20
35
50
65
80
95 110 125
T
A
- 环境温度 - °C
T
A
- 环境温度 - °C
图13 。
安全工作区
vs
电路板温度
2.5
60
图14 。
热膨胀系数 -
q
JB
vs
功耗
q
JB
- 温度系数 - ° C / W
P
DISS
- 功耗 - W
2.0
50
40
1.5
30
1.0
20
0.5
10
0
-40 -25 -10
0.0
5
20
35
50
65
80
95 110 125
0
0.25
0.50
0.75
1.00
1.25
T
B
- 主板温度 - °C
P
DISS
- 功耗 - W
图15 。
图16 。
2010 ，德州仪器
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