TPS92210
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SLUS989 - 2010年1月
自然科学PFC LED照明驱动器控制器
检查样品：
TPS92210
1
特点
灵活的操作模式
- 恒定导通时间允许单级
PFC的实现
- 峰值初级电流
级联MOSFET配置
- 完全集成的电流控制，而
检测电阻器
- 快速便捷启动
非连续导通模式或转型
模式操作
变压器零能量检测
- 启用谷底导通工作
- 有助于实现高效率和低
EMI
LED开路检测
先进的过流保护
输出过压保护
线路浪涌耐用
内部过温保护
8引脚SOIC （D ）封装
描述
该TPS92210是一个自然功率因数校正
（ PFC ）光emmitting二极管（LED ）照明驱动器
控制器具有先进的节能特性，可提供
高效率控制LED照明应用。
一个PWM调制算法各不相同的两个
开关频率和初级电流而
保持连续的或过渡模式
操作运行的所有地区。该TPS92210
共源共栅架构实现低开关损耗
在初级侧，当与组合
非连续导通模式（DCM）操作
确保了在没有反向恢复损耗
输出整流器。这些创新导致的效率，
可靠性和系统成本的改进过
传统的反激架构。
该TPS92210提供一个可预见的最大功率
阈值和过载定时响应
允许的浪涌功率要求安全处理。
过载故障响应用户编程
重试或锁存模式。附加的保护功能
包括LED开路检测由输出过压
保护和热关机。
该TPS92210提供的8引脚SOIC （D ）
封装。工作结温范围为
-40_C到125_C
应用
TRIAC可调光LED照明设计
对于改造住宅LED照明驱动器
A19 （ E27 / 26 ， E14 ） ， PAR30 / 38 ， GU10 ， MR16 ， BR
司机下来与建筑墙
壁灯，途径和顶灯
商业荧光灯凹形反光槽及嵌灯
V
IN
AC
+
4
3
2
1
TPS92210
OTM
VCG
的PCl
VSD
FB
DRN
GND
VDD
5
6
7
8
LED I
SENSE
和
空调
V
OUT
UDG-09152
1
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
2010 ，德州仪器
TPS92210
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这个集成电路可以被ESD损坏。德州仪器建议所有集成电路与处理
适当的预防措施。如果不遵守正确的操作和安装程序，可以造成损坏。
ESD损害的范围可以从细微的性能下降，完成设备故障。精密集成电路可能会更
容易受到伤害，因为很小的参数变化可能导致设备不能满足其公布的规格。
订购信息
操作
温度
范围内，T
A
-40_C到125_C
包
订购
设备号
TPS92210DR
TPS92210D
引脚
传输介质
磁带和卷轴
管
QUANTITY
2500
75
SOIC
8
绝对最大额定值
(1)
所有的电压都是相对于GND ， -40°C <牛逼
J
= T
A
< 125 ℃，所有的电流是正进及负超出指定的
终端（除非另有说明）
极限
VDD
DRN ，在导
DRN ，在非导通
输入电压范围
VCG
FB
连续输入电流
输入电流范围
输出电流
工作结温
存储温度范围
焊接温度
(1)
(2)
(3)
(2)
单位
-0.5至+25
-0.5到+2.0
20
-0.5至+16
-0.5到+7
-0.5到+1.0
-7到+10
10
(3)
(2)
V
TZE ， OTM ， PCL
(3)
(3)
VDD - VCG
I
VCG
DRN
DRN ，脉冲200ns的， 2 ％的占空比
T
J
T
英镑
焊接， 10秒
I
TZE
, I
OTM
, I
的PCl
, I
FB
mA
A
°C
°C
°C
-3至+1
-4
-6至+1.5
-40到+150
-65到+150
+260
这些压力额定值只。应力超出这些限制可能会造成永久性损坏设备。的功能操作
器件在这些或超出下表示任何条件
推荐工作条件
是不是暗示。接触
的时间会影响器件的可靠性长时间绝对最大额定条件
在VCG电压内部钳位。钳位电平随操作条件。在正常使用中， VCG的是电流的供给与
电压内部限制
在正常使用中， OTM ，PCL室间隔缺损，和FB被连接到电阻器和GND之间和内部限制在电压摆幅
(2)
包装耗散额定值
(1)
包
SOIC-8 （D）的
(1)
(2)
(3)
θ
JA
，热
阻抗JUNCTION
到环境， NO
气流（ ° C / W）
165
(1)
θ
JB
，热
阻抗JUNCTION
改板，没有空气流动
（ ° C / W）
55
(1)
T
A
= 25°C
额定功率
（ mW）的
606
(3)
T
A
= 85°C
额定功率
（ mW）的
242
(3)
T
B
= 85°C
额定功率
（ mW）的
730
(2) (3)
根据JEDEC EIA / JESD51-1测试。热敏电阻是电路板结构和布局的函数。气流reducex热
性。这个号码被包括仅作为一般准则;看到TI的文档（ SPRA953 ） IC封装热度量。
到所述电路板的耐热性较低。测量标准的单面PCB建设。电路板温度，T
B
,
测量大约为1厘米的铅登上接口。这个号码被提供仅作为一般准则。
最高结温，T
J
等于125℃的
2
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推荐工作条件
除非另有说明，所有电压都是相对于GND ， -40°C <牛逼
J
= T
A
< 125°C 。组件参考
图17 。
民
VDD
VCG
I
VCG
R
OTM
R
的PCl
R
TZE1
C
VCG
C
BP
输入电压
从低阻抗源的输入电压
从高阻抗源的输入电流
电阻到GND
电阻到GND
电阻器来辅助绕组
VCG电容
VDD的旁路电容器，陶瓷
关机/重试模式
闭锁模式
9
9
10
25
150
24.3
50
33
0.1
最大
20
13
2000
100
750
100
200
200
1
A
kΩ
kΩ
kΩ
nF
μF
单位
V
静电放电（ ESD）保护
最大
ESD额定值，人体模型（ HBM ）
ESD额定值，带电器件模型（ CDM）
2
500
单位
kV
V
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3
TPS92210
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电气特性
除非另有说明： V
VDD
= 12 V, V
VCG
= 12 V, V
TZE
= 1 V, V
FB
= 0 V ， GND = 0 V ， 0.1 μF电容VDD之间存在
和GND ， VCG和GND ，R之间的一个0.1 μF的电容存在
的PCl
= 33.2 kΩ的，R
OTM
= 380千欧， -40°C <牛逼
A
< + 125°C ，T
J
= T
A
参数
VDD和VCG供应
VCG
（操作）
VCG
（已禁用）
ΔVCG
I
VCG （ SREG ）
ΔVCG
（ SREG ）
VCG
（ LREG ）
VCG
（ LREG ， DO ）
VDD
（上）
VDD
（关闭）
= VDD
（ UVLO ）
I
VDD （工作）
I
VDD （ LPM ）
I
VDD （ UVLO ）
R
DS ，ON （VDD）的
VDD
（故障
复位）
测试条件
民
典型值
最大
单位
VCG的电压，操作
VCG电压， PWM禁用
上升VCG钳位电压在
UVLO ， LPM或故障
VCG并联稳压器电流
VCG分流负载调节
VCG LDO调节电压
VCG LDO低压差电压
UVLO开启阈值
UVLO关断阈值
UVLO迟滞
工作电流
脉冲串之间的空闲电流
电流VDD < UVLO
VDD接通电阻， DRN到VDD
VDD为故障锁存器复位
VDD = 14 V，I
VCG
= 2.0毫安
VDD = 12 V，I
VCG
= 15
μA,
I
FB
= 350
μA
VCG
（已禁用）
= VCG
（操作）
VCG = VCG
（已禁用）
- 100 mV时，
VDD = 12 V
10
μA ≤
I
VCG
≤
5毫安，我
FB
= 350
μA
VDD = 20 V，I
VCG
= - 2毫安
VDD - VCG ， VDD = 11 V，I
VCG
= - 2毫安
13
15
1.75
14
16
2
6
125
13
15
17
2.15
10
200
V
V
V
μA
mV
V
1.5
9.7
7.55
1.9
2
10.2
8
2.2
3
550
225
4
2.5
10.7
8.5
2.5
3.7
900
300
10
6.4
V
V
V
V
mA
μA
μA
V
VDD = 20 V
I
FB
= 350
μA
VDD = VDD
（上）
- 100 mV时，增加
VCG = 12 V ， VDD = = 7V ，我
DRN
= 50毫安
2.5
5.6
6
调制
t
SW （短波）
t
SW （ LF ）
(1)
最小开关周期，频率
调制（FM）方式
最大的开关周期，达成结束
调频调制范围
最大峰值驱动电流过
调幅（AM ）范围
最小峰值驱动电流达成
调幅调制范围到底
最大功率恒定
的R最小峰值驱动独立
的PCl
或AM控制
前沿电流限制消隐时间
PCL的电压
I
FB
= 0
μA,
(1)
7.125
(1)
7.5
34
3
0.9
0.85
0.33
0.60
0.45
220
7.875
38
3.15
1.0
1.1
0.5
0.66
0.6
μs
μs
A
A
A
A
W / μH
A
ns
(1)
I
FB
= I
FB ， CNR3
– 20
μA,
31
2.85
0.8
0.7
0.2
0.54
0.3
I
DRN （峰值，最大值）
I
DRN （峰值，最小值）
K
P
I
DRN （峰值， absmin ）
t
BLANK （ ILIM）
的PCl
I
FB,CNR1
(2)
I
FB
= 0
μA,
R
的PCl
= 33. 2 k
I
FB
= 0
μA,
R
的PCl
= 100 k
I
FB ，
I
FB ，
CNR2
CNR2
+ 10
μA,
R
的PCl
= 33.2 k
+ 10
μA,
R
的PCl
= 100 k
对于我
DRN （峰值，最大值）
= 3 A
R
的PCl
=打开
I
FB
= 0
μA,
R
的PCl
= 100 kΩ的1.2 -A拉起来
DRN
I
FB
= 0
μA
I
FB
= (I
FB,CNR3
– 20
μA)
(1)
2.94
0.95
145
35
50
10
0.34
3
1
165
45
70
25
0.7
3.06
1.05
195
65
90
40
0.84
V
μA
μA
μA
μA
V
I
FB
范围为FM调制
(2)
I
FB
增加，T
S
= t
S（ LF ）
和
I
DRN （ PK ， ）
= I
DRN ， PK （最大值）
t
S
= t
S， LF
, I
DRN PK
从范围
I
DRN ， PK （最大值）
到我
DRN ， PK （ MIN ）
I
FB
增加直到PWM操作被禁止
进入突发断电状态
I
FB
从上面我递减
FB,CNR3
I
FB
= 10
μA
I
FB,CNR2
– I
FB,CNR1
I
FB,CNR3
– I
FB,CNR2
I
FB ，
FB
LPM- HYST
(2)
I
FB
范围AM调制
I
FM
范围低功耗模式（ LPM ）
调制
I
FB
LPM调制过程中的滞后
进入突发开启和关闭状态
FB的电压
(2)
(1)
(2)
t
SW
设置最小开关周期。下时间的PWM的起始边缘，在正常情况下，下一个导通时间
以下所述第一谷吨后在TZE切换发起
SW
。 t的值
SW
由I调制
FB
最小的t之间
S（ HF ）
AND A
最大的t
SW （ LF ）
在正常操作中，叔
SW （短波）
设置在电源和吨的最高工作频率
S（ LF ）
设置最小
电源的工作频率。
请参阅
图24 。
4
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2010 ，德州仪器
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电气特性（续）
除非另有说明： V
VDD
= 12 V, V
VCG
= 12 V, V
TZE
= 1 V, V
FB
= 0 V ， GND = 0 V ， 0.1 μF电容VDD之间存在
和GND ， VCG和GND ，R之间的一个0.1 μF的电容存在
的PCl
= 33.2 kΩ的，R
OTM
= 380千欧， -40°C <牛逼
A
< + 125°C ，T
J
= T
A
参数
变压器零能量检测
TZE
（ TH ）
TZE
（钳）
TZE
（ START）
t
DLY(TZ2D)
t
WAIT （ TZE ）
t
ST
司机
R
DS （ ON） （ DRN ）
I
DRN （关闭）
R
DS （ ON） （ HSDRV ）
I
DRN ， DSCH
TZE
（ OVP ）
t
BLANK ， OVP
I
TZE （偏置）
过载故障
I
FB （ OL ）
t
OL
t
重试
R
OTM （ TH ）
电流过载触发延时定时器
延时过载故障
重试延迟重试模式或关机后
命令
边界
OTM
闭锁和重试之间
模式
I
FB
= 0连续
R
OTM
= 76 kΩ
SEE
(3)
测试条件
民
典型值
最大
单位
TZE过零阈值
TZE低钳位电压
TZE电压阈值来启用
内部启动计时器
延迟从过零点到驱动器导通
等待时间为零能量检测
启动超时时间
TZE高分到低分产生开关周期
(t
S
已过期）
I
TZE
= –10
μA
在启动时产生的驱动开关周期
定时器率
150 Ω的上拉，以对DRN 12 -V
驾驶员接通边缘产生的t
S
与以往的检测零电流
TZE = 0 V
5
-200
0.1
20
-160
0.15
150
50
-100
0.2
mV
mV
V
ns
2
150
2.4
240
2.8
300
μs
μs
驱动导通电阻
驱动关断漏电流
HSDRV的导通电阻
DRN散装放电
I
DRN
= 4.0 A
I
DRN
= 12 V
HS驱动电流= 50毫安
VDD开放， DRN = 12 V ，故障锁存集
2
90
1.5
6
2.8
190
20
11
3.6
m
μA
mA
过压故障
过在TZE电压故障阈值
从TZE消隐和OVP采样时间
关闭DRN的边缘
TZE输入偏置电流
TZE = 5 V
故障锁存集
4.85
0.6
–0.1
5
1
5.15
1.7
–0.1
V
μs
μA
0
200
1.5
250
750
3
300
μA
ms
ms
100
120
150
k
关断阈值
V
OTM （ SR ）
I
OTM ， PU
最大导通时间
t
OTM
V
OTM
T
SD
(4)
(4)
关机/重试的阈值
当前价外价外时被拉低
OTM前高后低
V
OTM
= V
OTM （ SR ）
R
OTM
= 383 kΩ
R
OTM
= 76 kΩ
0.7
–600
1
–450
1.3
–300
V
μA
闭锁
关机/重试
OTM电压
3.43
3.4
2.7
3.83
3.8
3
4.23
4.2
3.3
μs
μs
V
热关断
关断温度
迟滞
T
J
，升温
(4)
T
J
，温度下降，度低于T
SD
(4)
165
15
°C
°C
T
SD_HYS
(3)
(4)
闩锁断或关机/重试故障响应持续过载被选中R的范围
OTM
。选择闭锁模式，
R
OTM
应大于150千欧和叔
OTM
由R定
OTM
× (1.0 × 10
-11
） 。要选择关机/重试模式，R
OTM
应少
超过100 kΩ和吨
OTM
由R定
OTM
× (5.0 × 10
-11
).
热关断发生在温度超出正常范围高。设备性能达到或接近过热关机
未指定温度或保证。
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TPS92210
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SLUS989A - 2010年1月 - 修订2010年12月
自然科学PFC LED照明驱动器控制器
检查样品：
TPS92210
1
特点
灵活的操作模式
- 恒定导通时间允许单级
PFC的实现
- 峰值初级电流
级联MOSFET配置
- 完全集成的电流控制，而
检测电阻器
- 快速便捷启动
非连续导通模式或转型
模式操作
变压器零能量检测
- 启用谷底导通工作
- 有助于实现高效率和低
EMI
LED开路检测
先进的过流保护
输出过压保护
线路浪涌耐用
内部过温保护
8引脚SOIC （D ）封装
描述
该TPS92210是一个自然功率因数校正
（ PFC ）光emmitting二极管（LED ）照明驱动器
控制器具有先进的节能特性，可提供
高效率控制LED照明应用。
一个PWM调制算法各不相同的两个
开关频率和初级电流而
保持连续的或过渡模式
操作运行的所有地区。该TPS92210
共源共栅架构实现低开关损耗
在初级侧，当与组合
非连续导通模式（DCM）操作
确保了在没有反向恢复损耗
输出整流器。这些创新导致的效率，
可靠性和系统成本的改进过
传统的反激架构。
该TPS92210提供一个可预见的最大功率
阈值和过载定时响应
允许的浪涌功率要求安全处理。
过载故障响应用户编程
重试或锁存模式。附加的保护功能
包括LED开路检测由输出过压
保护和热关机。
该TPS92210提供的8引脚SOIC （D ）
封装。工作结温范围为
-40_C到125_C
应用
TRIAC可调光LED照明设计
对于改造住宅LED照明驱动器
A19 （ E27 / 26 ， E14 ） ， PAR30 / 38 ， GU10 ， MR16 ， BR
司机下来与建筑墙
壁灯，途径和顶灯
商业荧光灯凹形反光槽及嵌灯
V
IN
AC
+
4
3
2
1
TPS92210
OTM
VCG
的PCl
TZE
FB
DRN
GND
VDD
5
6
7
8
LED I
SENSE
和
空调
V
OUT
UDG-09152
1
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
2010 ，德州仪器
TPS92210
SLUS989A - 2010年1月 - 修订2010年12月
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这个集成电路可以被ESD损坏。德州仪器建议所有集成电路与处理
适当的预防措施。如果不遵守正确的操作和安装程序，可以造成损坏。
ESD损害的范围可以从细微的性能下降，完成设备故障。精密集成电路可能会更
容易受到伤害，因为很小的参数变化可能导致设备不能满足其公布的规格。
订购信息
操作
温度
范围内，T
A
-40_C到125_C
包
订购
设备号
TPS92210DR
TPS92210D
引脚
传输介质
磁带和卷轴
管
QUANTITY
2500
75
SOIC
8
绝对最大额定值
(1)
所有的电压都是相对于GND ， -40°C <牛逼
J
= T
A
< 125 ℃，所有的电流是正进及负超出指定的
终端（除非另有说明）
极限
VDD
DRN ，在导
DRN ，在非导通
输入电压范围
VCG
(2)
(3)
单位
-0.5至+25
-0.5到+2.0
20
-0.5至+16
-0.5到+7
-0.5到+1.0
-7到+10
10
(3)
(2)
V
TZE ， OTM ， PCL
FB
(3)
VDD - VCG
连续输入电流
输入电流范围
输出电流
工作结温
存储温度范围
焊接温度
(1)
(2)
(3)
I
VCG
DRN
mA
A
°C
°C
°C
I
TZE
, I
OTM
, I
的PCl
, I
FB
-3至+1
-4
-6至+1.5
-40到+150
-65到+150
+260
DRN ，脉冲200ns的， 2 ％的占空比
T
J
T
英镑
焊接， 10秒
这些压力额定值只。应力超出这些限制可能会造成永久性损坏设备。的功能操作
器件在这些或超出下表示任何条件
推荐工作条件
是不是暗示。接触
的时间会影响器件的可靠性长时间绝对最大额定条件
在VCG电压内部钳位。钳位电平随操作条件。在正常使用中， VCG的是电流的供给与
电压内部限制
在正常使用中，销的OTM ，PCL TZE ，和FB被连接到电阻器和GND之间和内部限制在电压摆幅
(2)
包装耗散额定值
(1)
包
SOIC-8 （D）的
(1)
(2)
(3)
q
JA
，热
阻抗JUNCTION
到环境， NO
气流（ ° C / W）
165
(1)
q
JB
，热
阻抗JUNCTION
改板，没有空气流动
（ ° C / W）
55
(1)
T
A
= 25°C
额定功率
（ mW）的
606
(3)
T
A
= 85°C
额定功率
（ mW）的
242
(3)
T
B
= 85°C
额定功率
（ mW）的
730
(2) (3)
根据JEDEC EIA / JESD51-1测试。热敏电阻是电路板结构和布局的函数。气流reducex热
性。这个号码被包括仅作为一般准则;看到TI的文档（ SPRA953 ）器件封装热度量。
到所述电路板的耐热性较低。测量标准的单面PCB建设。电路板温度，T
B
,
测量大约为1厘米的铅登上接口。这个号码被提供仅作为一般准则。
最高结温，T
J
等于125℃的
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推荐工作条件
除非另有说明，所有电压都是相对于GND ， -40°C <牛逼
J
= T
A
< 125°C 。组件参考
图17 。
民
VDD
VCG
I
VCG
R
OTM
R
的PCl
R
TZE1
C
VCG
C
BP
输入电压
从低阻抗源的输入电压
从高阻抗源的输入电流
电阻到GND
电阻到GND
电阻器来辅助绕组
VCG电容
VDD的旁路电容器，陶瓷
关机/重试模式
闭锁模式
9
9
10
25
150
24.3
50
33
0.1
最大
20
13
2000
100
750
100
200
200
1.0
单位
V
A
kΩ
kΩ
kΩ
nF
mF
静电放电（ ESD）保护
最大
ESD额定值，人体模型（ HBM ）
ESD额定值，带电器件模型（ CDM）
2
500
单位
kV
V
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电气特性
除非另有说明： V
VDD
= 12 V, V
VCG
= 12 V, V
TZE
= 1 V, V
FB
= 0 V ， GND = 0 V ， 0.1 -MF电容VDD之间存在
和GND ，心电向量图和GND中，R之间的一个0.1 μF的电容器存在
的PCl
= 33.2 kΩ的，R
OTM
= 380千欧， -40°C <牛逼
A
< + 125°C ，T
J
= T
A
参数
VDD和VCG供应
VCG
（操作）
VCG
（已禁用）
ΔVCG
I
VCG （ SREG ）
ΔVCG
（ SREG ）
VCG
（ LREG ）
VCG
（ LREG ， DO ）
VDD
（上）
VDD
（关闭）
= VDD
（ UVLO ）
I
VDD （工作）
I
VDD （ LPM ）
I
VDD （ UVLO ）
R
DS ，ON （VDD）的
VDD
（故障
复位）
测试条件
民
典型值
最大
单位
VCG的电压，操作
VCG电压， PWM禁用
上升VCG钳位电压在
UVLO ， LPM或故障
VCG并联稳压器电流
VCG分流负载调节
VCG LDO调节电压
VCG LDO低压差电压
UVLO开启阈值
UVLO关断阈值
UVLO迟滞
工作电流
脉冲串之间的空闲电流
电流VDD < UVLO
VDD接通电阻， DRN到VDD
VDD为故障锁存器复位
VDD = 14 V，I
VCG
= 2.0毫安
VDD = 12 V，I
VCG
= 15
毫安，
I
FB
= 350
mA
VCG
（已禁用）
= VCG
（操作）
VCG = VCG
（已禁用）
- 100 mV时，
VDD = 12 V
10
mA
≤
I
VCG
≤
5毫安，我
FB
= 350
mA
VDD = 20 V，I
VCG
= - 2毫安
VDD - VCG ， VDD = 11 V，I
VCG
= - 2毫安
13
15
1.75
14
16
2
6
125
13
15
17
2.15
10
200
V
V
V
mA
mV
V
1.5
9.7
7.55
1.9
2
10.2
8
2.2
3
550
225
4
2.5
10.7
8.5
2.5
3.7
900
300
10
6.4
V
V
V
V
mA
mA
mA
V
VDD = 20 V
I
FB
= 350
mA
VDD = VDD
（上）
- 100 mV时，增加
VCG = 12 V ， VDD = = 7V ，我
DRN
= 50毫安
2.5
5.6
6
调制
t
SW （短波）
t
SW （ LF ）
(1)
最小开关周期，频率
调制（FM）方式
最大的开关周期，达成结束
调频调制范围
最大峰值驱动电流过
调幅（AM ）范围
最小峰值驱动电流达成
调幅调制范围到底
最大功率恒定
的R最小峰值驱动独立
的PCl
或AM控制
前沿电流限制消隐时间
PCL的电压
I
FB
= 0
毫安，
(1)
7.125
(1)
7.5
34
3
0.9
0.85
0.33
0.60
0.45
220
7.875
38
3.15
1.0
1.1
0.5
0.66
0.6
ms
ms
A
A
A
A
W / mH的
A
ns
(1)
I
FB
= I
FB ， CNR3
– 20
毫安，
31
2.85
0.8
0.7
0.2
0.54
0.3
I
DRN （峰值，最大值）
I
DRN （峰值，最小值）
K
P
I
DRN （峰值， absmin ）
t
BLANK （ ILIM）
的PCl
I
FB,CNR1
(2)
I
FB
= 0
毫安，
R
的PCl
= 33. 2 k
I
FB
= 0
毫安，
R
的PCl
= 100 k
I
FB ，
I
FB ，
CNR2
CNR2
+ 10
毫安，
R
的PCl
= 33.2 k
+ 10
毫安，
R
的PCl
= 100 k
对于我
DRN （峰值，最大值）
= 3 A
R
的PCl
=打开
I
FB
= 0
毫安，
R
的PCl
= 100 kΩ的1.2 -A拉起来
DRN
I
FB
= 0
mA
I
FB
= (I
FB,CNR3
– 20
毫安）
(1)
I
FB
增加，T
SW
= t
SW （ LF ）
和
I
DRN （ PK ， ）
= I
DRN ， PK （最大值）
t
SW
= t
SW （ LF ）
, I
DRN PK
从范围
I
DRN ， PK （最大值）
到我
DRN ， PK （ MIN ）
I
FB
增加直到PWM操作被禁止
进入突发断电状态
I
FB
从上面我递减
FB,CNR3
I
FB
= 10
mA
2.94
0.95
145
35
50
10
0.34
3
1
165
45
70
25
0.7
3.06
1.05
195
65
90
40
0.84
V
mA
mA
mA
mA
V
I
FB
范围为FM调制
(2)
I
FB,CNR2
– I
FB,CNR1
I
FB,CNR3
– I
FB,CNR2
I
FB ，
FB
LPM- HYST
(2)
I
FB
范围AM调制
I
FM
范围低功耗模式（ LPM ）
调制
I
FB
LPM调制过程中的滞后
进入突发开启和关闭状态
FB的电压
(2)
(1)
(2)
t
SW
设置最小开关周期。下时间的PWM的起始边缘，在正常情况下，下一个导通时间
以下所述第一谷吨后在TZE切换发起
SW
。 t的值
SW
由I调制
FB
最小的t之间
SW （短波）
AND A
最大的t
SW （ LF ）
在正常操作中，叔
SW （短波）
设置在电源和吨的最高工作频率
SW （ LF ）
设置
电源的最小工作频率。
请参阅
图24 。
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电气特性（续）
除非另有说明： V
VDD
= 12 V, V
VCG
= 12 V, V
TZE
= 1 V, V
FB
= 0 V ， GND = 0 V ， 0.1 -MF电容VDD之间存在
和GND ，心电向量图和GND中，R之间的一个0.1 μF的电容器存在
的PCl
= 33.2 kΩ的，R
OTM
= 380千欧， -40°C <牛逼
A
< + 125°C ，T
J
= T
A
参数
变压器零能量检测
TZE
（ TH ）
TZE
（钳）
TZE
（ START）
t
DLY(TZ2D)
t
WAIT （ TZE ）
t
ST
司机
R
DS （ ON） （ DRN ）
I
DRN （关闭）
R
DS （ ON） （ HSDRV ）
I
DRN ， DSCH
TZE
（ OVP ）
t
BLANK ， OVP
I
TZE （偏置）
过载故障
I
FB （ OL ）
t
OL
t
重试
R
OTM （ TH ）
电流过载触发延时定时器
延时过载故障
重试延迟重试模式或关机后
命令
边界
OTM
闭锁和重试之间
模式
I
FB
= 0连续
R
OTM
= 76 kΩ
SEE
(3)
测试条件
民
典型值
最大
单位
TZE过零阈值
TZE低钳位电压
TZE电压阈值来启用
内部启动计时器
延迟从过零点到驱动器导通
等待时间为零能量检测
启动超时时间
TZE高分到低分产生开关周期
(t
SW
已过期）
I
TZE
= –10
mA
在启动时产生的驱动开关周期
定时器率
150 Ω的上拉，以对DRN 12 -V
驾驶员接通边缘产生的t
SW
与以往的检测零电流
TZE = 0 V
5
-200
0.1
20
-160
0.15
150
50
-100
0.2
mV
mV
V
ns
2
150
2.4
240
2.8
300
ms
ms
驱动导通电阻
驱动关断漏电流
HSDRV的导通电阻
DRN散装放电
I
DRN
= 4.0 A
I
DRN
= 12 V
HS驱动电流= 50毫安
VDD开放， DRN = 12 V ，故障锁存集
2
90
1.5
6
2.8
190
20
11
3.6
m
mA
mA
过压故障
过在TZE电压故障阈值
从TZE消隐和OVP采样时间
关闭DRN的边缘
TZE输入偏置电流
TZE = 5 V
故障锁存集
4.85
0.6
–0.1
5
1
5.15
1.7
–0.1
V
ms
mA
0
200
1.5
250
750
3
300
mA
ms
ms
100
120
150
k
关断阈值
V
OTM （ SR ）
I
OTM ， PU
最大导通时间
t
OTM
V
OTM
T
SD
(4)
(4)
关机/重试的阈值
当前价外价外时被拉低
OTM前高后低
V
OTM
= V
OTM （ SR ）
R
OTM
= 383 kΩ
R
OTM
= 76 kΩ
0.7
–600
1
–450
1.3
–300
V
mA
闭锁
关机/重试
OTM电压
3.43
3.4
2.7
3.83
3.8
3
4.23
4.2
3.3
ms
ms
V
热关断
关断温度
迟滞
T
J
，升温
(4)
T
J
，温度下降，度低于T
SD
(4)
165
15
°C
°C
T
SD_HYS
(3)
(4)
闩锁断或关机/重试故障响应持续过载被选中R的范围
OTM
。选择闭锁模式，
R
OTM
应大于150千欧和叔
OTM
由R定
OTM
× (1.0 × 10
-11
） 。要选择关机/重试模式，R
OTM
应少
超过100 kΩ和吨
OTM
由R定
OTM
× (5.0 × 10
-11
).
热关断发生在温度超出正常范围高。设备性能达到或接近过热关机
未指定温度或保证。
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