位置:首页 > IC型号导航 > 首字符S型号页 > 首字符S的型号第1206页 > SI7970DP-T1-E3 > SI7970DP-T1-E3 PDF资料 > SI7970DP-T1-E3 PDF资料1第4页

Si7970DP
Vishay Siliconix公司
新产品
典型特征( 25_C除非另有说明)
阈值电压
0.4
0.2
80
0.0
V
GS ( TH)
方差( V)
0.2
0.4
0.6
0.8
20
1.0
1.2
50
0
0.001
I
D
= 250
mA
功率(W)的
60
100
单脉冲功率
40
25
0
25
50
75
100
125
150
0.01
0.1
1
时间(秒)
10
100
600
T
J
温度(℃)
100
安全工作区,结到环境
r
DS ( ON)
有限
I
DM
有限
P(吨) = 0.0001
10
I
D
漏电流( A)
P(吨) = 0.001
1
I
D(上)
有限
P(吨)= 0.01
P(吨) = 0.1
P(吨)= 1
P(吨) = 10
dc
0.01
0.1
1
BV
DSS
有限
10
100
0.1
T
A
= 25_C
单脉冲
V
DS
漏极至源极电压( V)
归瞬态热阻抗,结到环境
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
4
10
3
10
2
10
1
1
方波脉冲持续时间(秒)
注意事项:
P
DM
t
1
t
2
1.占空比D =
2.每单位基础= R
thJA
= 60 ° C / W
3. T
JM
T
A
= P
DM
Z
thJA (T )
4.表层嵌
t
1
t
2
10
100
600
www.vishay.com
4
文档编号: 72826
S- 40431 -REV 。 A, 15 -MAR -04