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Si7970DP
Vishay Siliconix公司
新产品
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
漏源导通电阻
a
正向跨导
a
二极管的正向电压
a
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
r
DS （ ON）
g
fs
V
SD
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"20
V
V
DS
= 40 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 40 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 55_C
V
DS
w
5 V, V
GS
= 10 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 10.2 A
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 8.7 A
V
DS
= 15 V，I
D
= 10.2 A
I
S
= 2.9 A，V
GS
= 0 V
30
0.016
0.021
26
0.8
1.2
0.019
0.026
1
3
"100
1
5
V
nA
mA
A
W
S
V
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
动态
b
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
栅极电阻
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源漏反向恢复时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
g
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
I
F
= 2.9 A， di / dt的= 100 A / MS
V
DD
= 20 V ，R
L
= 20
W
I
D
^
1 ，V
根
= 10 V ，R
g
= 6
W
F = 1 MHz的
1
V
DS
=20 V, V
GS
= 10 V，I
D
= 10.2 A
23
4.4
5.6
2.3
15
15
50
16
30
3.9
25
25
75
25
60
ns
W
35
nC
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
40
V
GS
= 10通6 V
32
I
D
漏电流（ A）
5V
I
D
漏电流（ A）
32
40
传输特性
24
24
16
16
T
C
= 125_C
8
25_C
55_C
0
8
4V
0
0
1
2
3
4
5
V
DS
漏极至源极电压（ V）
0
1
2
3
4
5
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 72826
S- 40431 -REV 。 A， 15 -MAR -04
www.vishay.com
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