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Si7970DP
新产品
Vishay Siliconix公司
双N通道40 -V （D -S ）的MOSFET
特点
产品概述
V
DS
(V)
40
r
DS （ ON）
(W)
0.019 @ V
GS
= 10 V
0.026 @ V
GS
= 4.5 V
I
D
(A)
10.2
8.7
D
D
D
D
TrenchFETr功率MOSFET
新的低热阻PowerPAKr
双MOSFET节省空间
100% R
g
经过测试
包
应用
D
初级侧开关
低功耗降压季
D
中间总线开关
采用PowerPAK SO- 8
D
1
D
2
6.15 mm
S1
1
2
G1
S2
5.15 mm
3
4
G2
D1
8
7
G
1
D1
D2
G
2
6
5
D2
底部视图
订购信息： Si7970DP -T1 -E3
S
1
N沟道MOSFET
S
2
N沟道MOSFET
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150_C)
a
漏电流脉冲
连续源电流（二极管传导）
a
单雪崩电流
单雪崩能量
最大功率耗散
a
工作结存储温度范围
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
L = 0.1 mH的
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
I
AS
E
AS
P
D
T
J
, T
英镑
10秒]
40
"20
10.2
8.2
40
2.9
30
45
3.5
2.2
稳定状态
单位
V
6.5
5.2
A
1.2
mJ
1.4
0.9
W
_C
55
150
热电阻额定值
参数
最大
M I
结到环境
a
TI T A双向吨
最大结至外壳（漏）
笔记
一。表面装在1 “×1” FR4板。
文档编号： 72826
S- 40431 -REV 。 A， 15 -MAR -04
www.vishay.com
t
v
10秒
稳定状态
稳定状态
符号
R
thJA
R
thJC
典型
26
60
2.2
最大
35
85
2.7
单位
° C / W
C / W
1
