AN606
Vishay Siliconix公司
2.0
1.8
r
米（上）
导通电阻（ W）
归
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
50
导通电阻与结温
V
GS
= 10 V
I
D
= 25 A
2.使用I的最小值
SENSE
在最大信号
我的价值
D
;和
3.使用一个快速比较器磁滞控制和保护
在MOSFET 。
为贯彻落实当前典型配置示意图
感示于图4和图5 。
虚拟地球检测法，如图4所示，是适合于
应用瞄准更高的抗噪声能力和速度。这
办法还提高了测量精度由
消除了感测电阻器。然而，双电源供电
和反相（负）输出信号是价格设计者
付得出这些好处。
25
0
25
50
75
100
125
150
175
T
J
结温（ ° C）
网络连接gure 3 。
归一化
米（上）
为感模
在图5所示的电阻检测法是一个相当
简单而经济的方法。电流的精度
测量受引入的外部的
感电阻R
S
。然而，在降低后者助剂
电流检测信号的温度敏感性。
V
DD
负载
I
L
D
开
G
+V
SENSE
+
V
S
V
1
设计方程
下面的三个方程使电路设计和
分析。
I
SENSE
?? X我
D
/r
V
DS
= I
SENSE
X [R
米（上）
+ R
SENSE
]或
V
DS
= I
D
个R
DS （ ON）
/(r
米（上）
+ R
SENSE
)
V
SENSE
= I
SENSE
个R
SENSE
or
V
SENSE
= V
DS
个R
SENSE
/(r
米（上）
+ R
SENSE
)
在那里我
SENSE
r
I
D
V
DS
r
米（上）
R
SENSE
当前流出感终端
电流检测率
漏 - 源电流
漏源电压
镜面主动阻力
外部电流检测电阻
图4中。
虚拟地球遥感计划
V
DD
负载
I
L
D
R3
开
G
R1
SENSE
S
杂散
阻力
R2
+
V
1
应用方面和设计实例
检流比率r ，即使固定在设计上，是
依赖的
on
制造业
过程
的变化。
此外，镜面主动电阻r
米（上）
取决于电路
参数V
GS
我
D
与结温度T
J
。作为
结果，在实际的设计可实现15 ％的精确度 -
20％的电流检测。因此，电流传感
MOSFET是用于监控功能，如最合适的
过电流和/或短路保护。
三把钥匙成功的设计是：
1.具备正常之间具有足够的裕度
工作电流值和跳闸电流值;
文档编号： 71991
17-Dec-03
图5中。
电阻检测法
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