AN606
Vishay Siliconix公司
电流检测功率MOSFET
Kandarp潘迪亚
介绍
日前，Vishay Siliconix的电流检测功率MOSFET提供
装有保护功能到一个简单的方法
电子控制电路，避免灾难性故障
由过电流产生的（过载）和/或短路
条件。该器件封装修改
2
PAK五
销。该MOSFET终止保留了标准的D
2
PAK
足迹为三针装置。额外的两个引脚提供
终止于一个电流检测输出和内部开
连接到源极。电流检测时，MOSFET
设计采用了少数的总数的
MOSFET单元以已知比率。后者定义
电流检测参数。一个典型的控制界面采用了
简单的电路与一个运算放大器或比较器。这种方法
提供的控制级别设置的自由和便利的
掺入到主控制系统。
栅极和漏极之间的存根和漏存根和源极之间，
分别。请参考应用笔记826 ，
推荐最低
垫图案随着日前，Vishay Siliconix的外形访问
MOSFET的
（ http://www.vishay.com/doc?72286 ）
为
该
推荐的PCB布局焊盘图形的三维细节。
原理图符号和PCB修改部分库符号
布局上提供了“的Protel ” （ PCB设计软件）
平台。对于软拷贝，请联系日前，Vishay Siliconix的圣诞老人
圣克拉拉，加利福尼亚州，在美国，致电1-408-567-8927 。
电流检测功能的原理
以感测漏 - 源电流的最有效的方法是
使用比率指标的测量。在功率MOSFET ，它是
可以很容易地实现此方法。
细胞密度，内功率MOSFET青睐的期限
行业传达了功率MOSFET结构由
许多细胞并联连接。原则上，这些细胞
构成了漏 - 源电流的电阻路径。电，
这些细胞是并联连接的电阻器，
r
DS （ ON）
s.
每个单元
- 在结构上和电气特性相同 -
股份目前同样当设备处于开启状态。这家酒店
使具有电流检测功能的MOSFET的设计。
设备描述和原理
手术
D
2
PAK-5
D（选项卡， 3 ）
G
1 2 3 4 5
SENSE
(1)
(4)
开
(2)
S (5)
G
SENSE
D
S
开
N沟道MOSFET
在一个已知的比率除以MOSFET单元产生两个路径
该共享的漏 - 源电流。具有较小的路径
细胞的数量构成的感测电流，这是多
比通过的其余部分的电流导通较小
细胞。一个非常简单的，低功耗，外围电路可以测量
此电流。乘以该值与该小区比给出
总漏 - 源电流。
经典的凯尔文终止于感应电流的回
到主源连接保证了测量
准确度。该终端不仅消除了接地环路，
而且还减少了内部结构与不平衡
两个电流路径。
该电流传感的参数，表1中，并且
电流检测芯片特性及原理图，如图2所示，
有助于说明的电流 - 读出操作和电路
实施。
图1 。
包装信息和原理图符号
包装信息和原理图符号，图1显示了一个
部分复制的数据表的电流检测
MOSFET ， SUM50N03-13C 。栅极，漏极，存根/标签和源
（引脚1 ，2，和3）是在相同的位置中的一个标准的D
2
PAK
（ TO- 263 ） MOSFET。然而，引脚输出的修改要求
结合电流检测（ 2脚）和开尔文 - 源极（引脚4 ）
表1 ：电流检测特性
电流检测比率
镜面主动阻力
文档编号： 71991
17-Dec-03
r
r
米（上）
I
D
= 1 A，V
GSS
= 10 V ，R
SENSE
= 1.1
W
V
GS
= 10 V，I
D
= 10毫安
420
520
3.5
620
W
www.vishay.com
1
AN606
Vishay Siliconix公司
表2 ：目前的产品范围
产品编号
Si6862DQ
Si4730EY
通道类型
N
N
V
DS
（ VDC）的
20
30
r
DS
(W)
0.026/4.5 V
0.015/10 V
I
DS
(A)
6.6
11.7
P
D
(W)
1.8
3.6
包
TSSOP-8*
SO-8*
SUM50N03-13LC
SUM60N08-07C
N
N
30
75
0.013/10 V
0.007/10 V
50
60
83
300
D
2
PAK-5
采用TSSOP -8和SOIC - 8封装推荐的最小焊盘电流检测的MOSFET参见应用笔记AN826
（ http://www.vishay.com/doc?72286 ） 。
结论
日前，Vishay Siliconix的电流检测功率MOSFET使
实现了结合了简单的解决方案
监控保护功能，如过流和/或
短路。这种方法提供了自由和灵活性
控制电路的设计，虽然测量的精度是
不适合于当前的控制应用程序。几乎所有的
从日前，Vishay Siliconix的产品系列功率MOSFET可
用一个电流检测功能提供。
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4
文档编号： 71991
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电流检测功率MOSFET
Kandarp潘迪亚
介绍
日前，Vishay Siliconix的电流检测功率MOSFET提供
装有保护功能到一个简单的方法
电子控制电路，避免灾难性故障
由过电流产生的（过载）和/或短路
条件。该器件封装修改
2
PAK五
销。该MOSFET终止保留了标准的D
2
PAK
足迹为三针装置。额外的两个引脚提供
终止于一个电流检测输出和内部开
连接到源极。电流检测时，MOSFET
设计采用了少数的总数的
MOSFET单元以已知比率。后者定义
电流检测参数。一个典型的控制界面采用了
简单的电路与一个运算放大器或比较器。这种方法
提供的控制级别设置的自由和便利的
掺入到主控制系统。
栅极和漏极之间的存根和漏存根和源极之间，
分别。请参考应用笔记826 ，
推荐最低
垫图案随着日前，Vishay Siliconix的外形访问
MOSFET的
（ http://www.vishay.com/doc?72286 ）
为
该
推荐的PCB布局焊盘图形的三维细节。
原理图符号和PCB修改部分库符号
布局上提供了“的Protel ” （ PCB设计软件）
平台。对于软拷贝，请联系日前，Vishay Siliconix的圣诞老人
圣克拉拉，加利福尼亚州，在美国，致电1-408-567-8927 。
电流检测功能的原理
以感测漏 - 源电流的最有效的方法是
使用比率指标的测量。在功率MOSFET ，它是
可以很容易地实现此方法。
细胞密度，内功率MOSFET青睐的期限
行业传达了功率MOSFET结构由
许多细胞并联连接。原则上，这些细胞
构成了漏 - 源电流的电阻路径。电，
这些细胞是并联连接的电阻器，
r
DS （ ON）
s.
每个单元
- 在结构上和电气特性相同 -
股份目前同样当设备处于开启状态。这家酒店
使具有电流检测功能的MOSFET的设计。
设备描述和原理
手术
D
2
PAK-5
D（选项卡， 3 ）
G
1 2 3 4 5
SENSE
(1)
(4)
开
(2)
S (5)
G
SENSE
D
S
开
N沟道MOSFET
在一个已知的比率除以MOSFET单元产生两个路径
该共享的漏 - 源电流。具有较小的路径
细胞的数量构成的感测电流，这是多
比通过的其余部分的电流导通较小
细胞。一个非常简单的，低功耗，外围电路可以测量
此电流。乘以该值与该小区比给出
总漏 - 源电流。
经典的凯尔文终止于感应电流的回
到主源连接保证了测量
准确度。该终端不仅消除了接地环路，
而且还减少了内部结构与不平衡
两个电流路径。
该电流传感的参数，表1中，并且
电流检测芯片特性及原理图，如图2所示，
有助于说明的电流 - 读出操作和电路
实施。
图1 。
包装信息和原理图符号
包装信息和原理图符号，图1显示了一个
部分复制的数据表的电流检测
MOSFET ， SUM50N03-13C 。栅极，漏极，存根/标签和源
（引脚1 ，2，和3）是在相同的位置中的一个标准的D
2
PAK
（ TO- 263 ） MOSFET。然而，引脚输出的修改要求
结合电流检测（ 2脚）和开尔文 - 源极（引脚4 ）
表1 ：电流检测特性
电流检测比率
镜面主动阻力
文档编号： 71991
17-Dec-03
r
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米（上）
I
D
= 1 A，V
GSS
= 10 V ，R
SENSE
= 1.1
W
V
GS
= 10 V，I
D
= 10毫安
420
520
3.5
620
W
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AN606
Vishay Siliconix公司
表2 ：目前的产品范围
产品编号
Si6862DQ
Si4730EY
通道类型
N
N
V
DS
（ VDC）的
20
30
r
DS
(W)
0.026/4.5 V
0.015/10 V
I
DS
(A)
6.6
11.7
P
D
(W)
1.8
3.6
包
TSSOP-8*
SO-8*
SUM50N03-13LC
SUM60N08-07C
N
N
30
75
0.013/10 V
0.007/10 V
50
60
83
300
D
2
PAK-5
采用TSSOP -8和SOIC - 8封装推荐的最小焊盘电流检测的MOSFET参见应用笔记AN826
（ http://www.vishay.com/doc?72286 ） 。
结论
日前，Vishay Siliconix的电流检测功率MOSFET使
实现了结合了简单的解决方案
监控保护功能，如过流和/或
短路。这种方法提供了自由和灵活性
控制电路的设计，虽然测量的精度是
不适合于当前的控制应用程序。几乎所有的
从日前，Vishay Siliconix的产品系列功率MOSFET可
用一个电流检测功能提供。
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17-Dec-03
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