AN606
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
10
检测芯片
10
导通电阻与电流检测
导通电阻与栅源电压
8
r
米（上）
导通电阻（ W）
r
米（上）
导通电阻（ W）
8
I
D
= 10毫安
6
V
GS
= 4.5 V
V
GS
= 10 V
6
4
4
2
2
0
0.00
0
0.02
0.04
0.06
0.08
0.10
0
2
4
6
8
10
I
SENSE
(A)
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
流动比率（I
（主） / IS
)
与栅极 - 源极电压（图1 ）
1200
R
S
= 6.6
W
1000
800
比
R
S
= 2.2
W
600
400
200
0
0
4
8
12
16
20
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
R
S
= 1.1
W
R
S
= 0.5
W
V
G
R
S
= 4.7
W
G
SENSE
R
S
S
开
图2中。
电流传感模特征和原理图
电流检测参数的定义
电流检测比r ，是细胞的数量的商
封端的感测端子上，以细胞的总数目
在MOSFET芯片。
为了得到价值
r
使用上述定义需要
详细的模具设计。然而，漏电流的商来
读出电流提供了相同的值，因为这些
电流值的单元电流的各路径的总和。
数学上：
R×我
D
/I
SENSE
I
D
是漏电流
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I
SENSE
时流过的电流进行检测端子，并进入
检测电阻，R
SENSE
镜面主动电阻R
米（上）
是平行的电阻
在这个意义上链使用时，该设备上连接的电池。
作为
DS （ ON）
如在任何其他的MOSFET ，其值取决于
栅极驱动器，漏电流和结温。
因此，R
米（上）
被定义在V的给定值
GS
, I
漏
,
和T
J
结。
根据定义，对感测管芯，请参考图2，镜象活性
电阻R
米（上）
在栅极 - 源极电压， V被指定
GS
在4.5伏和10伏，对应的漏极 - 源极电流I
SENSE
高达0.1 A ，和结温度T
J
在25
_
C.该
的R温度COEF网络cient
米（上）
是相同的r
DS （ ON）
.
参阅在导通电阻与结温曲线
网络连接gure 3 。
文档编号： 71991
17-Dec-03
2
