DDR SDRAM
E0338M10 （ 1.0版本）
（上Rev.1.54E ）
03月CP （ K）
M2S56D20 / 30 / 40ATP
M2S56D20 / 30 / 40AKT
256M双数据速率同步DRAM
AC时序要求（ 2/2 ）
（ TA = 0 70
o
C， VDD = VDDQ = 2.5V + 0.2V ， VSS = VSSQ = 0V ，除非另有说明）
-60
分钟。
42
60
72
18
18
12
15
35
1
75
200
1
1
7.8
最大
120,000
分钟。
45
65
75
20
20
15
15
35
1
75
200
1
1
7.8
-75A
最大
120,000
分钟。
45
65
75
20
20
15
15
35
1
75
200
1
1
7.8
-75
最大
120,000
符号
tRAS的
TRC
tRFC
tRCD的
激进党
TRRD
tWR的
tDAL
Twtr
AC特性参数
行活动时间
行周期时间（操作）
自动编号。以主动/自动编号。指令周期
行到列延迟
行预充电时间
法案法案延迟时间
写恢复时间
自动预充电写恢复+预充电时间
内部写读命令延迟
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
TCK
ns
TCK
TCK
TCK
us
笔记
tXSNR退出自编号。对非读命令
tXSRD退出自编号。到 - 读取命令
tXPNR退出掉电命令
tXPRD退出掉电到 - 读取命令
tREFI
平均周期刷新间隔
18
17
输出负载条件
的DQ
V
TT
=V
REF
50
V
OUT
Zo=50
30pF
V
REF
V
REF
DQ
V
REF
输出时序
测量
参考点
电容
（ TA = 0 70
o
C， VDD = VDDQ = 2.5V + 0.2V ， VSS = VSSQ = 0V ，除非另有说明）
符号
CI （ A）
CI （ C）
CI （ K）
CI / O
范围
DELTA
单位注
分钟。马克斯。第（最大）
输入电容，地址引脚
VI=1.25v
2.0 3.0
pF
11
0.50
输入电容，控制引脚
f=100MHz
2.0 3.0
pF
11
输入电容， CLK引脚
VI = 25mVrms 2.0 3.0
0.25
pF
11
I / O容量， I / O ， DQS ， DM引脚
4.0 5.0
0.50
pF
11
参数
测试条件
21
