DDR SDRAM
E0338M10 （ 1.0版本）
（上Rev.1.54E ）
03月CP （ K）
M2S56D20 / 30 / 40ATP
M2S56D20 / 30 / 40AKT
256M双数据速率同步DRAM
从Vdd的平均电源电流
（ TA = 0 70
o
C， VDD = VDDQ = 2.5V + 0.2V ， VSS = VSSQ = 0V ，输出开路，除非另有说明）
符号
参数/测试条件
组织
限制（最大）
-60
-75A / -75
100
110
120
140
10
85
95
100
115
6
单位
笔记
工作电流：一家银行;主动预充电;吨RC = T RC分钟;
IDD0吨CK = T CK分钟; DQ ， DM和DQS输入每个时钟改变两倍
周期;地址和控制输入，每个时钟周期改变一次
工作电流：一家银行;主动读预充电;
IDD1突发= 2 ;吨RC = T RC分钟; CL = 2.5 ;吨CK = T CK分钟; IOUT = 0毫安;
地址和控制输入，每个时钟周期改变一次
IDD2P
预充电掉电待机电流：所有银行闲置;
掉电模式; CKE <VIL （MAX） ;吨CK = T CK MIN
所有
x4
x8
x16
所有
空闲待机电流： / CS > VIH （ MIN） ;所有银行闲置;
IDD2F CKE > VIH （ MIN） ;吨CK = T CK分钟;地址和其它控制输入
每个时钟周期改变一次
IDD3P
ACTIVE POWER- DOWN待机电流：一是银行主动;
掉电模式; CKE < VIL （ MAX） ;吨CK = T CK MIN
所有
35
30
所有
20
15
主动待机电流： / CS > VIH （ MIN） ; CKE > VIH （ MIN） ;一
银行;主动预充电;吨RC = T RAS MAX ;吨CK = T CK分钟; DQ ， DM
IDD3N
和DQS输入两次改变每个时钟周期;地址和其他
控制输入每个时钟周期改变一次
工作电流：胸围= 2 ;读取;可连拍;一家银行
IDD4R活跃;地址和控制输入，每个时钟周期改变一次; CL = 2.5;
吨CK = T CK分钟; IOUT = 0 mA时
工作电流：胸围= 2 ;写;可连拍;一家银行
活跃;地址和控制输入，每个时钟周期改变一次;
IDD4W
CL = 2.5 ;吨CK = T CK分钟; DQ ， DM和DQS输入两次改变每
时钟周期
IDD5自动刷新电流：吨RC = T RFC （ MIN ）
所有
x4
x8
x16
x4
x8
x16
所有
-60/-75A/-75
55
180
190
220
180
190
220
150
3
2
1
270
290
330
45
140
150
180
130
140
160
140
3
2
1
215
235
270
mA
9
9,21
9,22
20
20
20
IDD6
自刷新电流： CKE < 0.2V
-60 / -75A / -75 L
-60 / -75AU / -75 UL
x4
工作电流，四银行操作：四个银行是交错
IDD7
在配备BL = 4 ，请参阅注释20
x8
x16
交流工作条件和特点
（ TA = 0 70
o
C， VDD = VDDQ = 2.5V + 0.2V ， VSS = VSSQ = 0V ，输出开路，除非另有说明）
符号
参数/测试条件
范围
分钟。
VREF + 0.31
VREF - 0.31
0.7
-5
-2
-16.8
16.8
VDDQ + 0.6
5
2
0.5 * VDDQ - 0.2 0.5 * VDDQ + 0.2
马克斯。
单位
V
V
V
V
uA
uA
mA
mA
7
8
笔记
VIH （ AC ）高电平输入电压（ AC ）
VIL （ AC ）低电平输入电压（ AC ）
VID （ AC）输入差分电压， CLK和/ CLK
VIX （ AC）输入交叉点电压， CLK和/ CLK
IOZ
II
IOH
IOL
断态输出电流/ Q浮动VO = 0到VDDQ
输入电流/ VIN = 0到VDDQ
输出高电流（ VOUT = VTT + 0.84V ）
输出高电流（ VOUT = VTT - 0.84V ）
19
