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ProASIC3E直流和开关特性
表2-32
2.5 V LVCMOS摆低
商业案例的条件：T已
J
= 70 ° C，最坏情况下的V
CC
= 1.425 V，最差情况下的V
CCI
= 2.3 V
DRIVE
实力
4毫安
速度
GRADE
–F
标准。
–1
–2
8毫安
–F
标准。
–1
–2
12毫安
–F
标准。
–1
–2
16毫安
–F
标准。
–1
–2
24毫安
–F
标准。
–1
–2
t
DOUT
0.79
0.66
0.56
0.49
0.79
0.66
0.56
0.49
0.79
0.66
0.56
0.49
0.79
0.66
0.56
0.49
0.79
0.66
0.56
0.49
t
DP
14.42
12.00
10.21
8.96
10.49
8.73
7.43
6.52
8.14
6.77
5.76
5.06
7.58
6.31
5.37
4.71
7.13
5.93
5.05
4.43
t
DIN
t
PY
t
PYS
t
EOUT
0.51
0.43
0.36
0.32
0.51
0.43
0.36
0.32
0.51
0.43
0.36
0.32
0.51
0.43
0.36
0.32
0.51
0.43
0.36
0.32
t
ZL
14.69
12.23
10.40
9.13
10.68
8.89
7.57
6.64
8.29
6.90
5.87
5.15
7.72
6.42
5.46
4.80
7.26
6.04
5.14
4.51
t
ZH
13.95
11.61
9.88
8.67
9.62
8.01
6.82
5.98
7.34
6.11
5.20
4.56
6.88
5.73
4.87
4.28
6.85
5.70
4.85
4.26
t
LZ
t
HZ
t
ZLS
17.37
14.46
12.30
10.80
13.37
11.13
9.47
8.31
10.97
9.14
7.77
6.82
10.40
8.66
7.37
6.47
9.94
8.28
7.04
6.18
t
ZHS
16.63
13.85
11.78
10.34
12.31
10.25
8.72
7.65
10.02
8.34
7.10
6.23
9.57
7.96
6.77
5.95
9.54
7.94
6.75
5.93
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
0.05 1.82 1.99
0.04 1.51 1.66
0.04 1.29 1.41
0.03 1.13 1.24
0.05 1.82 1.99
0.04 1.51 1.66
0.04 1.29 1.41
0.03 1.13 1.24
0.05 1.82 1.99
0.04 1.51 1.66
0.04 1.29 1.41
0.03 1.13 1.24
0.05 1.82 1.99
0.04 1.51 1.66
0.04 1.29 1.41
0.03 1.13 1.24
0.05 1.82 1.99
0.04 1.51 1.66
0.04 1.29 1.41
0.03 1.13 1.24
3.26 2.64
2.72 2.20
2.31 1.87
2.03 1.64
3.73 3.52
3.10 2.93
2.64 2.49
2.32 2.19
4.04 4.08
3.37 3.39
2.86 2.89
2.51 2.53
4.11 4.23
3.42 3.52
2.91 3.00
2.56 2.63
4.20 4.80
3.49 4.00
2.97 3.40
2.61 2.99
注意：
对于具体的结点温度和电源电压电平，参见
表2-6 2-5页
对于降级
值。
2 -2 8
v1.2
