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ProASIC3E直流和开关特性
表2-36
1.8 V LVCMOS摆低
商业案例的条件：T已
J
= 70 ° C，最坏情况下的V
CC
= 1.425 V，最差情况下的V
CCI
= 1.7 V
DRIVE
实力
2毫安
速度
GRADE
–F
标准。
–1
–2
4毫安
–F
标准。
–1
–2
6毫安
–F
标准。
–1
–2
8毫安
–F
标准。
–1
–2
12毫安
–F
标准。
–1
–2
16毫安
–F
标准。
–1
–2
t
DOUT
0.79
0.66
0.56
0.49
0.79
0.66
0.56
0.49
0.79
0.66
0.56
0.49
0.79
0.66
0.56
0.49
0.79
0.66
0.56
0.49
0.79
0.66
0.56
0.49
t
DP
19.03
15.84
13.47
11.83
13.68
11.39
9.69
8.51
10.78
8.97
7.63
6.70
10.03
8.35
7.10
6.24
9.54
7.94
6.75
5.93
9.54
7.94
6.75
5.93
t
DIN
t
PY
t
PYS
t
EOUT
0.51
0.43
0.36
0.32
0.51
0.43
0.36
0.32
0.51
0.43
0.36
0.32
0.51
0.43
0.36
0.32
0.51
0.43
0.36
0.32
0.51
0.43
0.36
0.32
t
ZL
18.80
15.65
13.31
11.69
13.94
11.60
9.87
8.66
10.98
9.14
7.77
6.82
10.22
8.50
7.23
6.35
9.72
8.09
6.88
6.04
9.72
8.09
6.88
6.04
t
ZH
19.03
15.84
13.47
11.83
12.92
10.76
9.15
8.03
9.73
8.10
6.89
6.05
9.11
7.59
6.45
5.66
9.08
7.56
6.43
5.65
9.08
7.56
6.43
5.65
t
LZ
t
HZ
t
ZLS
21.49
17.89
15.22
13.36
16.62
13.84
11.77
10.33
13.66
11.37
9.67
8.49
12.90
10.74
9.14
8.02
12.40
10.32
8.78
7.71
12.40
10.32
8.78
7.71
t
ZHS
21.71
18.07
15.37
13.50
15.61
12.99
11.05
9.70
12.41
10.33
8.79
7.72
11.80
9.82
8.35
7.33
11.77
9.80
8.33
7.32
11.77
9.80
8.33
7.32
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
0.05 1.74 2.29
0.04 1.45 1.91
0.04 1.23 1.62
0.03 1.08 1.42
0.05 1.74 2.29
0.04 1.45 1.91
0.04 1.23 1.62
0.03 1.08 1.42
0.05 1.74 2.29
0.04 1.45 1.91
0.04 1.23 1.62
0.03 1.08 1.42
0.05 1.74 2.29
0.04 1.45 1.91
0.04 1.23 1.62
0.03 1.08 1.42
0.05 1.74 2.29
0.04 1.45 1.91
0.04 1.23 1.62
0.03 1.08 1.42
0.05 1.74 2.29
0.04 1.45 1.91
0.04 1.23 1.62
0.03 1.08 1.42
3.34 1.90
2.78 1.58
2.37 1.35
2.08 1.18
3.91 3.33
3.26 2.77
2.77 2.36
2.43 2.07
4.29 4.03
3.57 3.36
3.04 2.86
2.66 2.51
4.37 4.23
3.64 3.52
3.10 3.00
2.72 2.63
4.50 4.93
3.74 4.11
3.18 3.49
2.79 3.07
4.50 4.93
3.74 4.11
3.18 3.49
2.79 3.07
注意：
对于具体的结点温度和电源电压电平，参见
表2-6 2-5页
对于降级
值。
v1.2
2 - 31
