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ProASIC3E直流和开关特性
表2-23
施密特触发器输入迟滞
滞后电压值（典型值）的施密特模式输入缓冲器
输入缓冲器配置
3.3 V LVTTL / LVCMOS / PCI / PCI -X （施密特触发模式）
2.5 V LVCMOS （施密特触发模式）
1.8 V LVCMOS （施密特触发模式）
1.5 V LVCMOS （施密特触发模式）
表2-24
I / O输入上升时间，下降时间，以及相关的I / O的可靠性*
输入缓冲器
LVTTL / LVCMOS （施密特触发器
禁用）
LVTTL / LVCMOS （施密特触发器
启用）
HSTL / SSTL / GTL
LVDS / B - LVDS / M- LVDS /
LVPECL
输入上升/下降时间（分钟）
无要求
无要求
输入上升/下降时间（最大）
10纳秒*
可靠性
20年（ 110 ° C）
滞后值（典型值）。
240毫伏
140毫伏
80毫伏
60毫伏
没有要求，但输入噪声20年（ 110 ° C）
电压不能超过施密特
滞后。
10纳秒*
10纳秒*
10年（ 100 ° C）
10年（ 100 ° C）
无要求
无要求
*
对于时钟信号和类似的边缘产生的信号，是指
的ProASIC3 / E SSO和引脚布局原则。
最大输入的上升/下降时间与感应到输入缓冲器跟踪的噪声。如果噪音低，
然后，上升时间和输入缓冲器的下降时间可以增加超出了最大值。的时间越长
上升/下降时间，越容易受到输入信号是在电路板的噪声。 Actel的建议的信号完整性
该系统的评估/表征，以确保没有过大的噪声耦合到输入信号。
单端I / O特性
3.3 V LVTTL / 3.3 V LVCMOS
低压晶体管 - 晶体管逻辑是一个通用的标准（EIA / JESD ）为3.3伏
应用程序。它使用了一个LVTTL输入缓冲器和推挽输出缓冲器。该3.3 V LVCMOS
标准的支持为3.3 V LVTTL支持的一部分。
表2-25
最小和最大DC输入和输出电平
3.3 V LVTTL /
3.3 V LVCMOS
驱动强度
4毫安
8毫安
12毫安
16毫安
24毫安
注意事项：
1.电流是在高温下（100℃的结温）和最大电压测量。
2.电流都在85℃的结温测量。
灰色3.软件默认选择高亮显示。
V
IL
V
IH
V
OL
V
OH
I
OL
I
OH
I
OSL
I
职业安全与卫生
I
IL
I
IH
最小， V最大，V最小， V最大， V最大，V最小，V毫安毫安最大，MA
1
最大，MA
1
A
2
A
2
–0.3
–0.3
–0.3
–0.3
–0.3
0.8
0.8
0.8
0.8
0.8
2
2
2
2
2
3.6
3.6
3.6
3.6
3.6
0.4
0.4
0.4
0.4
0.4
2.4
2.4
2.4
2.4
2.4
4
8
4
8
27
54
109
127
181
25
51
103
132
268
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
12 12
16 16
24 24
v1.2
2 - 23
