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KM4132G271B
10.时钟暂停出口&掉电退出
1 ）时钟挂起（ =活动掉电）退出
CLK
CKE
国内
CLK
CMD
注1
CMOS SGRAM
2 ）关机（ =预充电关机）退出
CLK
t
SS
CKE
国内
CLK
RD
CMD
注2
t
SS
NOP ACT
11.自动刷新&自我刷新
1 ）自动刷新
注3
CLK
注4
ó
注5
CMD
CKE
PRE
AR
ó
ó
ó
CMD
t
RP
2 ）自刷新
注6
t
RC
ó
CLK
注4
ó
CMD
CKE
PRE
SR
ó
ó
ó
ó
CMD
t
RP
*注意：
1.主动断电：一个或多个银行的活动状态。
2.预充电断电：这两个银行预充电状态。
3.自动刷新是一样的常规DRAM的CBR刷新。
自动刷新命令后无预充电命令是必需的。
t
RC
tRC的过程中，从自动刷新命令，任何其他命令不能被接受的。
4.在执行自动/自刷新命令，两岸必须处于空闲状态。
5. （S ）刘健，银行主动，自动/自刷新，掉电模式进入。
6.在自刷新模式，刷新间隔和刷新操作是内部perfomed 。
后自刷新进入，自刷新方式下被保持而CKE是低电平。
在自刷新模式，所有输入期望CKE将唐
′
吨关心和产出将在Hi-Z状态。
tRC的过程中，从自刷新退出命令，任何其他命令不能被接受的。
/后自刷新模式之前，爆出自动刷新周期（ 1K循环）的建议。
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修订版2.4 （ 1998年5月）
