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KM4132G271B
4. CAS中断（ II ）：阅读打断写& DQM
（1） CL = 2， BL = 4
CLK
我） CMD
DQM
DQ
ⅱ） CMD
DQM
DQ
ⅲ） CMD
DQM
DQ
ⅳ） CMD
DQM
DQ
Q
0
高阻
注1
CMOS SGRAM
RD
WR
D
0
RD
D
1
WR
D
2
D
3
高阻
D
0
D
1
WR
D
2
D
3
RD
高阻
D
0
D
1
WR
D
2
D
3
RD
D
0
D
1
D
2
D
3
（2） CL = 3， BL = 4
CLK
我） CMD
DQM
DQ
ⅱ） CMD
DQM
DQ
ⅲ） CMD
DQM
DQ
ⅳ） CMD
DQM
DQ
V） CMD
DQM
DQ
Q
0
高阻
注2
RD
WR
D
0
RD
D
1
WR
D
2
D
3
D
0
RD
D
1
WR
D
2
D
3
D
0
RD
D
1
WR
D
2
D
3
高阻
D
0
D
1
WR
D
2
D
3
RD
D
0
D
1
D
2
D
3
*注意：
1.为防止总线冲突，应在数据输入和数据输出之间的至少一个间隙。
2.防止总线争用， DQM应发出这使得在数据输入和数据输出之间的至少一个间隙。
- 21
修订版2.4 （ 1998年5月）
