EDE5132AABG
DLL使能/禁用
该DLL必须启用正常运行。 DLL使在上电时初始化是必需的，并且在
含有禁用DLL后恢复正常运行。进入自当DLL被自动禁用
刷新操作，并自动重新启动时的自刷新操作退出。该DLL允许任何时间
（随后复位） ， 200个时钟周期必须出现一个读命令发出，以便有时间的前
内部时钟与外部时钟同步。不能等待同步发生可能导致
违反TAC或tDQSCK参数。
EMRS （2 ）编程
扩展模式寄存器（ 2 ）的默认值没有被定义，因此，在扩展模式寄存器（ 2 ）必须
在上电后正常运行写入。扩展模式寄存器（ 2 ）被写入通过发出低通/ CS， / RAS ，
/ CAS ， / WE ，高高BA1和低BA0 ，同时控制地址引脚A0各州A12 。在DDR2 SDRAM
应在所有银行预充电与CKE已经写入扩展模式寄存器（ 2 ）前高。模式
寄存器组指令周期时间（超过tMRD ）必须满足完成写操作的扩展模式
注册（ 2 ） 。模式寄存器的内容可以在使用相同的命令和时钟周期的要求而改变
正常操作，只要所有的银行在预充电状态。
BA1 BA0
A12
A11
A10
A9
A8
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
*1
地址栏
扩展模式寄存器（ 2 ）
1
0
D.I.C *
3
RTT
*
2
0*
1
SRF
0*
1
A7
0
1
高温
自刷新速率
启用
关闭
启用
注：1，其余的位EMRS （2 ）被保留以供将来使用，并在EMRS （2）中的所有位，除了A9至A7 ，
BA0和BA1 ，必须在初始化过程中设置扩展模式寄存器（ 2）时，被编程为0 。
2. RTT值使用EMRS编程（1）[ A 6， A 2 ]和EMRS （2） 〔A11〕 。
请参阅RTT编程部分。
3.驱动阻抗值是使用EMRS编程（ 1） 〔A1〕和EMRS （2）[ A12 ] 。
请参阅驱动器阻抗恒功节。
EMRS （2）
驱动阻抗控制
EMRS （1）
A1
0
1
0
1
EMRS （2）
A12
0
0
1
1
输出驱动器
驱动程序的大小
实力
正常
100%
弱
1/4
版权所有
60%
25%
版权所有
初步数据表E1115E40 （版本4.0 ）
39
