EDE5132AABG
8.从读出的最小延迟，写入和预充电命令的预充电命令到同一
银行总结如下。
[预充电和自动预充电澄清]
从命令
读
到命令
预充电（为同一家银行为已读）
全部预充电
读W / AP
预充电（为同一家银行为已读W / AP）
全部预充电
写
预充电（为同一家银行为写）
全部预充电
写W / AP
预充电（为同一家银行作为写W / AP）
全部预充电
预充电
预充电（为同一家银行作为预充电）
全部预充电
全部预充电
预充电
全部预充电
“从之间的最小延迟
命令“到”命令“
AL + （ BL / 2 ） +最大（ RTP ， 2 ）
2
AL + （ BL / 2 ） +最大（ RTP ， 2 ）
2
AL + （ BL / 2 ） +最大（ RTP ， 2 ）
2
AL + （ BL / 2 ） +最大（ RTP ， 2 ）
2
WL + （ BL / 2 ） + tWR的
WL + （ BL / 2 ） + tWR的
WL + （ BL / 2 ） + WR
WL + （ BL / 2 ） + WR
1
1
1
1
单位
TCK
TCK
TCK
TCK
TCK
TCK
TCK
TCK
TCK
TCK
TCK
TCK
笔记
A，B
A，B
A，B
A，B
b
b
b
b
b
b
b
b
一。 RTP [次] = RU { tRTP [ NS ] / TCK [ NS ] }，其中RU表示一轮上涨。
TCK （ AVG）应代替TCK的DDR2-667 / 800 。
B 。对于给定的银行，在预充电期间应该从最新的预充电命令被计数，任一个
银行预充电或预充电所有，颁发给该银行。 tRP的后预充电期间被满足
根据发给该银行最新的预充电命令。
初步数据表E1115E40 （版本4.0 ）
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